Транзистор a2shb чем заменить на аналог
KI2302DS MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KI2302DS
Маркировка: A2SHB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4 nC
Время нарастания (tr): 55 ns
Выходная емкость (Cd): 120 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
KI2302DS Datasheet (PDF)
..1. Size:148K tysemi
ki2302ds.pdf
SMD TypeSMD Type ICProduct specificationKI2302DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13 Features VDS=20V RDS(on)= 0.085@VGS=4.5V ,ID=3.6A1 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01 RDS(on)= 0.115@VGS=2.5V ,ID= 3.1A+0.11.9-0.1G 13 D1.Base1. GateS 2 2.Emitter2. Source3. Drain3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter
..2. Size:206K kexin
ki2302ds.pdf
SMD Type DiodesSMD Type MOSFETSMD Type MOSFETN-Channel MOSFETKI2302DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13 Features VDS=20V RDS(on)= 0.085@VGS=4.5V ,ID=3.6A1 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01 RDS(on)= 0.115@VGS=2.5V ,ID= 3.1A+0.11.9-0.1G 13 D1.Base1. GateS 2 2.Emitter2. Source3. Drain3.collector Absolute Maximum Ratings
8.1. Size:1560K kexin
si2302 ki2302.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETSI2302 (KI2302)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS=20V RDS(on)= 85m@VGS=4.5V ,ID=3.6A RDS(on)= 115m@VGS=2.5V ,ID=3.1A 1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2G 13 D1. GateS 22. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Dr
9.1. Size:848K lge
ki2301.pdf
KI2301P-Channel 20-V(D-S) MosfetDESCRIPTION DThe KI2301 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SGENERAL FEATURES Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID(Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ)-20V64m 89 m
9.2. Size:321K tysemi
ki2305.pdf
SMD Type MOSFETProduct specificationKI2305SOT-23-3Unit: mm2.9+0.2-0.2 Features0.4+0.1-0.053 VDS (V) = -20V RDS(ON)0.065 (VGS = -4.5V) RDS(ON)0.100 (VGS = -2.5V)12 RDS(ON)0.250 (VGS = -1.8V)+0.10.95-0.1 0.1+0.05-0.01+0.21.9-0.2D 1. Gate2. Source3. DrainG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Sym
9.3. Size:921K tysemi
ki2303ds.pdf
SMD Type ICSMD Type MOSFESMD Type MOSFETSMD Type MOSFETSMD Type MOSFETSMD Type ICProduct specification KI2303DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1 Features+0.10.4-0.1 VDS (V) = -30V 3 A RDS(ON)
9.4. Size:197K tysemi
ki2307ds.pdf
SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type MOSFETSMD Type MOSFETSMD Type MOSFESMD Type MOSFETSMD Type MOSFETSMD Type MOSFETSMD Type ICProduct specification KI2307DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1 Features+0.10.4-0.13 VDS=-30V, rDS(on)=0.080,VGS=-10V,ID=-3A VDS=-30V, rDS(on)=0.140,VGS=-4.5V,ID=-2.5A1 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1
9.5. Size:351K tysemi
ki2301ds.pdf
SMD Type ICSMD Type MOSFESMD Type MOSFETSMD Type MOSFETSMD Type MOSFETProduct specification KI2301DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = -20V RDS(ON) 100m (VGS = -4.5V)1 2+0.1+0.05 RDS(ON) 150m (VGS = -2.5V) 0.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1D 1.Base1.Base1. Gate2.Emitter2.Emitter2. Source3.
9.6. Size:51K kexin
ki2307bds.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI2307BDSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.1Features3TrenchFET Power MOSFETRoHS Compliant12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -30 V
9.7. Size:1581K kexin
si2306 ki2306.pdf
SMD Type MOSFETICN-Channel 30-V (D-S) MOSFETSI2306 (KI2306)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.1 Features3 VDS (V) = 30V RDS(ON) 57m (VGS =-10V) RDS(ON) 94 m (VGS =-4.5V)1 2+0.02+0.1D 0.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2G 1. Gate2. SourceS 3. DrainAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-S
9.8. Size:1036K kexin
ki2305ds.pdf
SMD Type MOSFETSMD TypeP-Channel MOSFETKI2305DS SOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = -20V RDS(ON)0.052 (VGS = -4.5V)1 2 RDS(ON)0.071 (VGS = -2.5V)D +0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01 RDS(ON)0.108 (VGS = -1.8V) +0.11.9 -0.11. Gate2. SourceG 3. DrainS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Paramet
9.9. Size:49K kexin
ki2301bds.pdf
SMD Type TransistorsP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETKI2301BDSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13Features12RoH Lead (Pb)-Free Version is RoHS Compliant.+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -20 VGate-
9.10. Size:48K kexin
ki2300.pdf
SMD Type ICSMD Type MOSFETN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorKI2300(SI2300)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.1Features3VDS=20V,RDS(ON)=40m @VGS=4.5V,ID=5.0AVDS=20V,RDS(ON)=60m @VGS=2.5V,ID=4.0AVDS=20V,,RDS(ON)=75m @VGS=1.8V,ID=1.0A 12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute
9.11. Size:206K kexin
si2300 ki2300.pdf
SMD Type ICSMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETSI2300 (KI2300)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1Features+0.10.4 -0.1VDS=20V3ID=5.0ARDS(ON)=25m @VGS=4.5V,ID=5.0ARDS(ON)=35m @VGS=2.5V,ID=4.0A1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1RDS(ON)=55m @VGS=1.8V,ID=1.0A+0.11.9 -0.21. Gate2. Source3. DrainAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating
9.12. Size:307K kexin
ki2305.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI2305SOT-23-3Unit: mm2.9+0.2-0.2 Features0.4+0.1-0.053 VDS (V) = -20V RDS(ON)0.065 (VGS = -4.5V) RDS(ON)0.100 (VGS = -2.5V)12 RDS(ON)0.250 (VGS = -1.8V)+0.10.95-0.1 0.1+0.05-0.01+0.21.9-0.2D 1. Gate2. Source3. DrainG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol R
9.13. Size:52K kexin
ki2303bds.pdf
SMD Type TransistorsP-Channel, 30-V (G-S) MOSFETKI2303BDSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.1Features3RoH Lead (Pb)-Free Version is RoHS Compliant.12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -30 VGate-
9.14. Size:47K kexin
ki2306ds.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI2306DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1Features +0.10.4-0.13TrenchFET Power MOSFET100% Rg Tested12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS 30 VGate-source vol
9.15. Size:1589K kexin
si2303 ki2303.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2303 (KI2303)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1 Features+0.10.4 -0.1 VDS (V) =-30V3 RDS(ON) 200m (VGS =-10V) RDS(ON) 380m (VGS =-4.5V)1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2G 13 D1. GateS 22. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Un
9.16. Size:322K kexin
ki2301t.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET KI2301TSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-12V A1 2 RDS(ON) 115m (VGS =-4.5V)+0.1+0.050.95-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.1 RDS(ON) 160m (VGS =-2.5V)1.Gate2.Source3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sou
9.17. Size:1329K kexin
si2308ds ki2308ds.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI2308DS (KI2308DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 60V A (VGS = 10V)1 2+0.02 RDS(ON) 160m (VGS = 10V) +0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 220m (VGS = 4.5V)1. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Paramete
9.18. Size:185K kexin
si2301 ki2301.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2301 (KI2301) Features VDS (V) =-20V RDS(ON) 130m (VGS =-4.5V)3 RDS(ON) 190m (VGS =-2.5V)12 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -20
9.19. Size:50K kexin
ki2309ds.pdf
SMD Type TransistorsP-Channel 60-V (D-S) MOSFETKI2309DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.1Features312+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS -60 VGate-source voltage VGS 20 VContinuous drain current (TJ = 150 )
9.20. Size:1508K kexin
si2307ds ki2307ds.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2307DS (KI2307DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) =-30V (VGS =-10V) RDS(ON) 80m (VGS =-10V)1 2+0.02+0.1 RDS(ON) 140m (VGS =-4.5V)0.15 -0.020.95-0.1+0.11.9-0.2G 13 D1. GateS 22. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25
9.21. Size:49K kexin
ki2304ds.pdf
SMD Type TransistorsN-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI2304DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1Features+0.10.4-0.1312+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDS 30VGate-Source Voltage VGS 20Continuous Drain Current (TJ = 150 ) *
9.22. Size:1555K kexin
si2304ds ki2304ds.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET SI2304DS (KI2304DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.1 Features3 VDS (V) = 30V RDS(ON) 117m (VGS = 10V) RDS(ON) 190m (VGS = 4.5V)1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2G 13 D1. GateS 22. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ratin
9.23. Size:1075K kesenes
ki2306.pdf
SMD Type ICSMD Type MOSFETN-Channel Enhancement Mode MOSFETKI2306SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.2 Features0.4+0.1-0.053 @VGS=10V RDS(ON)=0.030 RDS(ON)=0.035@VGS=4.5VDS(ON) GS R =0.052@V =2.5V120.95+0.1-0.1 0.1+0.05-0.011.9+0.2-0.2D 1.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorG S Absolute Maximum Ratings
Транзистор a2shb чем заменить на аналог
Доброго времени суток уважаемие коти! Попался в лапи контроллер для светожиодной ленти и по моим измерениям и домислам кажеться что вишли из строя виходние транзистори так как напряжение на их управляющую ножку приходит и изменяеться в зависимости от вибраной яркости на пульте! На транзисторах написано A2SHB. Вопрос собственно на что их можно заменить что то что можно виковирять откуда то или кубить в первом же радиомагазине. Включать буду отрезок светодиодной ленти 40-50 см.(монохромной).Фото прилагаю
| Вложения: |
| Комментарий к файлу: фото плати IMG_20150616_085449.jpg [182.26 KiB] Скачиваний: 5939 |
_________________
Фаза есть — ума не надо!
Заголовок сообщения: Re: замена транзисторов в RGB контроллере
Добавлено: Вт июн 16, 2015 08:28:36
Что, надо иметь семь пядей во лбу, чтобы поставить русскую раскладку клавиатуры?
Транзистор A2SHB имеет полное наименование KI2302DS http://www.s-manuals.com/smd/a2 Это N-канальный MOSFET.
_________________
Выслушай и противную сторону, даже если она и противна
Заголовок сообщения: Re: замена транзисторов в RGB контроллере
Добавлено: Вт июн 16, 2015 09:06:32
| Нашел транзистор. Понюхал. |
Я так понимаю ето тоже он?!
| Вложения: |
| мос.JPG [60.04 KiB] Скачиваний: 2868 |
_________________
Фаза есть — ума не надо!
Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет
Заголовок сообщения: Re: замена транзисторов в RGB контроллере
Добавлено: Вт июн 16, 2015 09:25:57
_________________
Выслушай и противную сторону, даже если она и противна
Инженеры КОМПЭЛ провели сравнительное тестирование аккумуляторов EVE и Samsung популярного для бытовых и индустриальных применений типоразмера 18650. Для теста были выбраны аккумуляторы литий-никельмарганцевой системы: по два образца одного наименования каждого производителя – и протестированы на двух значениях тока разряда: 0,5 А и 2,5 А. Испытания проводились в нормальных условиях на электронной нагрузке EBD-USB от ZKEtech, а зарядка осуществлялась от лабораторного источника питания в режиме CC+CV в соответствии с рекомендациями в даташите на определенную модель.
Заголовок сообщения: Re: замена транзисторов в RGB контроллере
Добавлено: Вт июн 16, 2015 11:07:48
на какой то IRLM
_________________
Лечу лечить WWW ашу покалеченную технику.
Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора A2SHB.
Основные параметры полевого n-канального транзистора A2SHB
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора A2SHB . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал
Структура (технология): MOSFET
| Pd max, мВт | Uds max, В | Udg max, В | Ugs max, В | Id max, мА | Tj max, °C | Fr (T on/of) | Ciss tip, пФ | Rds, Ом |
| 1000 | 20 | 8 | 3700 | 150 |
Производитель:
Сфера применения:
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора A2SHB
| Общий вид транзистора A2SHB. | Цоколевка транзистора A2SHB. |
Обозначение контактов:
Международное: G — затвор, D — сток, S — исток.
Российское: З — затвор, С — сток, И — исток.
Дата создания страницы: 2020-03-12 15:03:38; Пользователь: .
Коллективный разум. Дополнения для транзистора A2SHB.
Комментарий к рисунку: Названия транзистора: HNM2302ALB, 2302, SI2302, AO2302, GMS2302. Маркировка транзистора SMD — A2SHB. Производитель — HAOHAI ELECTRONICS.
Дата добавления: 2023-03-16 07:05:48; Пользователь: Без имени.
Разделы справочника:
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Добавьте эту страницу в закладки:
| 2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности. |
A2SHB транзистор 5 штук SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка даташит
Фотографии A2SHB транзистор 5 штук SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка даташит
Описание A2SHB транзистор 5 штук SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка даташит
В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement Mode FET Наименование прибора: SI2302 маркировка A2SHB Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.3 Максимальная температура канала (Tj): 150 Время нарастания (tr): 36 Выходная емкость (Cd), pf: 115 Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.085 Тип корпуса: SOT23 Близкие аналоги: AO3400, AO3402, AO3406A, STS4300, UT3400, UT3404, UT6402.
- Характеристики
- Склад
Характеристики A2SHB транзистор 5 штук SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка даташит