Из чего делают кремниевые пластины

Кремниевые пластины

Компания ООО «Конкорд Эл» предлагает к поставке кремниевые пластины. Кремниевые пластины являются наиболее распространенным материалом и широко используется для ряда возможностей высокотехнологичных отраслей. Пластины выращиваются методом CZ ( Чохральского ) либо методом FZ ( зонной плавки ). Пластины кремния наиболее часто применяются в высокотехнологичных отраслях индустрии, используются для изготовления интегральных микросхем, транзисторов и дискретных полупроводниковых приборов, детекторов и сенсоров, МЭМС, оптоэлектронных компонентов и солнечных элементов. Мы поставляем как стандартные, так и нестандартные кремниевые пластины по спецификации заказчика. Пластины кремния изготавливаются в соответствии с требованиями SEMI, упаковываются в стерильных помещениях под вакуумом.

Кремниевые пластины

Возможные типы кремниевых пластин:

От оси ориентированные пластины;

P — тип либо N — тип

Бор, фосфор, сурьма, мышьяк

0.001 ~ 10000 Ом на см.

* Может изменяться в соответствии с пожеланиями заказчика.

Для получения большей информации свяжитесь с нашим менеджером.

Каталог Материалов

Оборудование и комплектующие
- Зондовые станции и комплектующие
  - Полуавтоматическая зондовая станция
  - Ручная зондовая станция
  - Зонд многоконтактный низкочастотный
  - Модулятор питания для зондовых измерений
  - Микропозиционеры СВЧ зонда прямые / угловые
  - Микропозиционеры
  - Насос поршневой вакуумный
  - Система перемещения микроскопа
- Автоматизированные установки вакуумного напыления
- Автоматизированная установка нанесения упрочняющих покрытий
- Установки вакуумного напыления
- Установки вакуумной пайки
- Установки плазменной очистки
- Установки реактивного ионного травления
- Вакуумная установка групповой термической обработки пластин
- Горизонтальная печь для групповой термической обработки
- Вакуумные установки магнетронного распыления
- Вакуумно-нагнетательные установки
- Установки терморезистивного напыления
- Установка нанесения покрытий
- Системы испытания на герметичность
- Термобарокамеры
- Вакуумные печи
Пластины и подложки
- Пластины ниобат лития
- Танталат лития
- Кремниевые пластины
- Пластины группы A3-B5
- Пластины группы A2-B6
- Термически оксидированные пластины
- Стеклянные пластины
- Сапфировые пластины
- Распыляемые мишени
- Пьезокварцевые пластины
- Пластины фосфид индия InP
- Пластины оксид цинка ZnO
- Пластины оксид магния MgO
- Пластины кремний на диэлектрике
- Пластины карбид кремния SiC
- Пластины арсенид индия InAs
- Пластины антимонид индия InSb
- Пластины антимонид галлия GaSb
- Пластины SrTiO3
- Монокристаллические пластины
- Германиевые пластины Ge
- Арсенид галлиевые пластины GaAs
- Эпитаксиальные пластины
- Керамические подложки
- Подложки титаната бария BaTiO3
- Подложки цирконата бария BaZrO3
- Подложки берилла
- Подложки оксида кальция CaO
- Подложки титаната кальция CaTiO3
- Подложки оксида церия CeO2
- Подложки оксида кобальта CoO
- Подложки оксида хрома Cr2O3
- Подложки оксида меди Cu2O
- Подложки скандиевого диспрозия DyScO3
- Подложки оксида железа FeO
- Подложка трехокиси железа Fe2O3
- Подложки оксида железа Fe3O4
- Подложки бета-оксида галлия ß-Ga2O3
- Подложки гадолиния-скандия GdScO3
- Подложки гадолиний-галлиевого граната GGG
- Подложки ниобата калия KNbO3, KNO
- Подложки танталата калия KTaO3, KTO
- Подложки титанилфосфата калия KTP
- Подложки алюмината лантана LaAlO3, LAO
- Подложки LaSrAlO4, LSAO
- Подложки LaSrGaO4, LSGO
- Подложки алимината лития LiAlO2
- Подложки галата лития LiGaO2
- Подложки алюмината лантана — танталата алюминия стронция LSAT
- Подложки шпинели MgAl2O4
- Подложки оксида магния MgO
- Подложки оксида марганца MnO
- Подложки алюмината неодима NdAlO3
- Подложки алюмината кальция неодима NdCaAlO4
- Подложки галлата неодима NdGaO3
- Подложки неодима скандия NdScO3
- Подложки оксида никеля NiO
- Подложки ниобата магния/ титаната свинца PMN-PT
- Подложки алюмината скандия- магния SCAM (ScMgAlO4)
- Подложки замещенного гадолиний-галлий-граната SGGG
- Подложки оксида олова SnO2
- Подложки бикристаллического титаната стронция Bicrystal SrTiO3
- Подложки титаната стронция легированного ниобием SrTiO3:Nb
- Подложки титаната стронция легированного лантаном SrTiO3:La
- Подложки тербия-скандия TbScO3
- Подложки диоксида теллура TeO2
- Подложки из тербий-галлиевого граната
- Подложки анатаза TiO2
- Подложки рутила TiO2
- Подложки диоксида титана легированного ниобием TiO2:Nb
- Рубиновые подложки Al2O3:Cr
- Подложки иттрий-алюминиевого граната YAG
- Подложки иттрий алюминия YAlO3 YAP
- Подложки железо-иттриевого граната YIG
- Подложки циркония стабилизированного иттрием YSZ
- Подложки ванадата иттрия YVO4
- Подложки цинковой шпинели (ганита) ZnAl2O4
- Подложки франклинита ZnFe2O4
- Подложки оксида цинка ZnO
- Монокристаллические подложки нитрида алюминия AlN
- Подложки сульфида кадмия CdS
- Подложки селенида кадмия CdSe
- Подложки теллурида кадмия CdTe
- Подложки нитрида галлия GaN
- Пластины фосфида галлия GaP
- Подложки селенида галлия GaSe
- Подложки теллурида галлия
- Подложки карбида кремния 4H-SiC
- Подложки карбида кремния 6H-SiC
- Подложки сульфида цинка ZnS
- Подложки селенида цинка ZnSe
- Подложки теллурида цинка ZnTe
- Подложки фторида бария BaF2
- Подложки фторида кальция CaF2
- Подложки йодида цезия CsI
- Подложки бромида калия KBr
- Подложки хлорида калия KCl
- Подложки йодида калия KI
- Подложки галогенидов таллия КРС-5 и КРС-6
- Подложки флорида лантана(III) LaF3
- Подложки фторида лития LiF
- Подложки фторида магния MgF2
- Подложки хлорида натрия NaCl
- Подложки фторида натрия NaF
- Подложки фторида стронция SrF2
- Алмазные подложки
- Высокоориентированный пиролитический графит HOPG
- Подложки слюды
- Подложки сульфида серебра Ag2S
- Подложки сульфида молибдена MoS2
- Ситалловые подложки
- Поликоровые подложки
Кристаллы
- Кристаллы светодиодов
- Кремниевые кристаллы фотодиодов
- Кристаллы InGaAs фотодиодов
- Кристаллы лазерных диодов VCSEL
- Кристаллы лазерных диодов Фабри Перо
- Кристаллы одночастотных (DFB) лазерных диодов
- Кристаллы кремниевых резистoров
- Кристаллы диодов Зенера
- Кремниевые кристаллы диодов Шоттки
- Карбид-кремниевые (SiC) кристаллы диодов Шоттки
- Кристаллы IGBT транзисторов
- Кристаллы лавинных фотодиодов
Металлокерамические корпуса
- Для поверхностного монтажа
- Металлокерамические C-SOP корпуса
- Металлокерамические DIP корпуса
- Металлокерамические корпуса QFP
- Металлокерамические корпуса PGA
- Металлокерамические корпуса QFN
- Металлокерамические корпуса QFJ
- Для оптоволоконных приборов
- Крышки для металлокерамических корпусов
Выводная рамка
- Выводная рамка для TO-220
- Выводная рамка корпусов TO-3P
- Выводная рамка для корпусов TO-263
- Выводная рамка для смарт карт
- Проволока для разварки кристаллов
- Выводная рамка для корпусов SOT
- Выводная рамка для микросхем
- Выводная рамка для светодиодов
Оптические кристаллы
- Нелинейный кристалл ADP, KDP, DKDP (D*KDP)
- Нелинейный кристаллы AGS
- Нелинейный кристалл AGSe
- Нелинейный кристалл BBO
- Нелинейный кристалл LBO
- Нелинейный кристалл CLBO
- Нелинейный кристалл GaSe
- Нелинейный кристалл HGS
- Нелинейный кристалл КТА
- Нелинейный кристалл KTP
- Нелинейный кристалл LiIO3
- Нелинейный кристалл LIS
- Нелинейный кристалл LISe
- Нелинейный кристалл LTB
- Нелинейный кристалл POM
- Нелинейный кристалл ZGP
- Нелинейный кристалл DLAP
- Лазерный кристалл Nd:YAG, Er:YAG, Yb:YAG
- Лазерный кристалл Nd:YLF, Er:YLF, Ho:YLF, Tm:YLF
- Лазерный кристалл Nd:YVO4, YVO4:Er; YVO4:Yb; YVO4:Er,Yb, YVO4 /Nd:YVO4, Nd:GdVO4
- Лазерный кристалл Ti:Sapphire
- Лазерный кристалл Cr:YAG
- Лазерный кристалл Александрит
- Лазерный кристалл KGW
- Лазерный кристалл YSGG
- Активированное фосфатное лазерное стекло
- Лазерный кристалл Cr:Forsterite
- Лазерный кристалл MPb2X5
- Фоторефрактивные кристаллы SBN, BSO, BGO, Fe:LNB
- Кристаллы для пассивной модуляции добротности Cr:YAG, Spinel, V:YAG, GSGG:Mg:Cr
- Кристаллы для вынужденного комбинационного рассеяния KGW, Ba(NO3)2
- Магнитооптические кристаллы MOS-4, MOS-10, TGG
- Пироэлектрические кристаллы TGS, DTGS, ATGS, ADTGS
- Акустооптические кристаллы парателлурита и PM
- Акустооптические кристаллы LTA, LNB
- Кристалл GaP
- Кристалл InP
- Монокристаллы германия
- Монокристаллы кремния
- Монокристаллический теллур
- Оптические кристаллы LiF, CaF2, BaF2, MgF2
- Оптические кристаллы NaCl, KCl, KBr, CsI
- Кристаллы кварца и плавленый кварц
- Кристаллы сапфира
- Кристаллы KRS-5, KRS-6
- Кристаллы CVD ZnSe
- Двулучепреломляющие оптические кристаллы
- Монокристаллы соединений группы A2B6
- Сцинтилляционные кристаллы
- Рентгеновские монокристаллы KAP, CsAP, RbAP, NH4AP
Тара и упаковка
- Блистерная лента для SMD компонентов
- Катушки для упаковки компонентов
- Тара для пластин
- Кассеты для пластин
- Устройства для перемещения пластин, компонентов и фотошаблонов
Резка и полировка
- Лента-спутник адгезионная
- Пяльца (гибкие рамки)
- Алмазные диски
- Суспензии и абразивы
- Адгезионные пленки
Монтаж и герметизация кристалла
- Клей для монтажа кристаллов
- Компаунды для герметизации
- Микроинструмент (капилляры, зонды)
- Микропроволока
Фотолитография
- Фотошаблоны и фотошаблонные заготовки
Керамика
- Микроволновые подложки
- Керамические пластины для конденсаторов
- Микроволновые диэлектрические резонаторы
- СВЧ-керамика для феррит-диэлектрических приборов
- Высокочастотные керамические материалы
- Керамические порошки для конденсаторов
- СВЧ керамика
- Корундовая керамика
- Изделия из бериллиевой керамики
- Радиокерамика

Публикации

Из чего делают кремниевые пластины

Кремниевые пластины

Кремниевые пластины — тонкий слой кристалла кремния, которые используются в производстве интегральных микросхем и других полупроводниковых приборах, а также в солнечных энергосистемах. Кремниевые пластины служат в качестве подложки для микроэлектронных устройств. Процесс создания кремниевых пластин проходит много шагов, таких, как процесс ионной имплантации, травления, осаждения различных материалов, нанесение фотолитографического рисунка. Перед началом процесса изготовления кремниевой пластины кремний обрабатывают слабым раствором кислоты, чтобы удалить ненужные частицы или неровности, полученные в процессе распила. Если в последующем кремниевая пластина будет служить элементом солнечной батареи, то ее поверхность делают шероховатой, чтобы увеличить площадь попадания солнечных лучей и повысить тем самым эффективность солнечного элемента.

Как производят кремниевые пластины

Из-за химических и физических свойств кремния, он определяется как нелитейный материал. Выращивать кремниевые кристаллы для солнечных батарей можно только в инертных газах или вакууме, так как этот материал очень легко вступает в реакции со многими другими веществами, если находится в расплавленном состоянии. Когда кремний кристаллизируется, то очень существенно увеличивается его объем, так что для того, чтобы свободные участки не затвердели до кристаллизации, необходимо использовать специальные технологии, которые способны предотвратить подобную опасность.

Метод Чохральского и метод бестигельной зонной плавки применяют в большинстве случаев для выращивания кристаллов.

В последнем десятилетии прошлого века благодаря методу Чохральского было создано более 80% кремниевых монокристаллов. Полученный материал применялся как в силовой электронике, так и в солнечной энергетике. Этот способ получения монокристаллов основывается на том, что переход атомов из жидкой либо газообразной фазы в твердую происходит в зоне фазового раздела. В методе Чохральского поликристаллический кремний, который появляется в первой ступени, используют для получения из кварцевого тигля кремниевые монокристаллы. Это происходит благодаря расплавлению поликристаллического кремния в тиглях, когда его погружают в высококачественный затравочный монокристалл. Во время нарастания кремния, поднимается шток с затравкой и начинает вращаться относительно вертикальной оси, а тигель движется в противоположную сторону, эти движения улучшают качество перемешивания компонентов в расплаве и уменьшают естественную неоднородность температур.

Производство кремниевых пластин

Если рассматривать мультикристаллы кремния, то отдельный кристалл нужно сделать однородным, после чего провести охлаждение. Если убрать зоны, где механические напряжения и дефекты встречаются слишком часто, можно получить монокристалл. Убираются неприятные зоны расплавлением некоторой части затравки. После всех этих манипуляций, монокристалл с небольшой скоростью вытягивают из расплава, после чего монокристаллы режутся на тонкие пластины, не толще 220 мкм каждая.

В наши дни наука далеко шагнула вперед, и техническое оснащение для метода Чохральского сильно улучшилось, в новых системах используют продвинутые устройства для перемещения штоков, установлены вакуумный аппарат нового поколения, блоки очищения и подачи инертного газа, автоматическая система управления и приспособление для охлаждения воды.

К сожалению, у этого метода помимо бесспорных преимуществ, есть еще и недостатки, главный из которых – загрязнения расплава различными видами примесей, включая кислород, которые находятся в кварцевом тигле. Чтобы таких проблем не возникало, изобретен метод бестигельной зонной плавки. В этом случае, контейнер не используется, а область расплава расположена в самом стержне.

В бестигельная зонная плавка подразумевает плавление конечной части основного стержня, сделанного из кремния. При этом затравку подают снизу, а область расплава находится внутри вертикального стержня. Масса расплава увеличивает давление, которое присутствует в зоне расплава. Расплав будет удерживаться благодаря поверхностному натяжению, при этом может быть обеспечена зона расплава с высотой до 150 мм. В начале роста кристалла, в расплав помещают затравку, которая с небольшой скоростью движется вниз на пару с кристаллом, который в процессе растет. При этом основной стержень движется вместе с ними. Для перемешивания, используется принцип как и в первом рассмотренном методе – вращение затравки и стержня в разных направлениях, при этом движение проходит вокруг оси. Для промышленной сферы более актуален нагрев с кольцевым индуктором, окружает стержень из кремния и дает электрический ток высокой частоты.

Оба описанных метода использую по сей день для создания кристаллов, несмотря на то, что в присутствии тигля ухудшается уровень чистоты. Чаще всего, бестигельная зонная плавка используется в качестве помощи при создании поликремния. Этот метод хорош в установках, где проходит водородное восстановление трихлорсилана.

Чтобы получить кристаллы быстрее, увеличивают скорость кристаллизации, это возможно с использованием метода Чохральского и комбинированного магнитного поля. Также в этом случае структура полученного кристалла будет гораздо лучше.

Чтобы избавить полученные кристаллы монокристаллического и поликристаллического кремния от большинства примесей, от них отрезают края, в которых обычно концентрируется мусор. После этого уже почти готовые кристаллы формуют, придавая им нужные очертания, шлифуют, улучшая поверхность, и разрезают на слои.

Кремниевые пластины

Удельное электрическое сопротивление 0,5-3 ом/см
Содержание кислорода, см -3, не более 1.1018
Содержание углерода, си -3, не более 1.1017
Время жизни н.н.з., мкс, не менее 12
Диагональное сечение 210 мм +, -0,25 мм
Параметры сторон: 156,75мм * 156,75 мм
Толщина 190 + 15/-10
Ориентация граней псевдоквадрата
Отклонение от заданной ориентации, не более, градус 2,5 градус
Неперпепендикулярность граней псевдоквадрата, не более, градус, 0,25

Фасовка вакуумная пвд упаковка

Минимальная партия на продажу от 1шт

Быстрая доставка по Москве и регионам

Фотография монокристалла кремния в пластинах:

Пластины кремния