Mb10f диодный мост характеристики как проверить
Перейти к содержимому

Mb10f диодный мост характеристики как проверить

  • автор:

Характеристики диодного моста MB10F

В данном статье вы узнаете характеристики диодного моста MB10F, который в основном предназначен для преобразования переменного напряжения в постоянное. Данная модель выделяется своей стойкостью к импульсным токам. Кроме этого она выдерживает высокотемпературную пайку в соответствии со стандартом MIL-STD-750 (температура паяльника 260 О С в течении 10 с).

Цоколевка

MB10F изготавливают в небольшом корпусе для навесного монтажа, сделанном из литого пластика. Он имеет четыре вывода: два «~» (на них подаётся переменное напряжение, например, от трансформатора) и «+» и «-», с которых снимается постоянное напряжение. Его вес 75 мг.

MB10F цоколевка

Технические характеристики

Рассмотрение параметров начнём с предельно допустимых. Они были сняты при однофазном напряжении на входе частотой 60 Гц. Нагрузка на выходе резистивная или ёмкостная. Если нагрузка ёмкостная, то токи необходимо уменьшить на 20%.

Характеристики диодного моста MB10F:

  • обратное напряжение VR(RMS) = 700 В;
  • рабочее пиковое обратное напряжение VRWM = 1000 В;
  • средний выпрямленный выходной ток IO:
    • TA = +125° C – 0,5 А;
    • TA = +110° C – 0,8 А;

    После максимальных следует обратить внимание на электрические значения. Обычно все измерения производятся при температуре TA = +25°C, остальные режимы приводятся в отдельной колонке таблицы.

    Электрические ха-тики диодного моста MB10F (при Т = +25 о C)
    Параметры Режимы измерения Обозн. min Typ max Ед. изм
    Обратное напряжение пробоя IR = 5 мкА V(BR)R 1000 В
    Прямое напряжение IF = 0.8 A VF 0,94 1,1 В
    Ток утечки VR = 1000В, TA = +25° C IR 0,2 5 мкА
    VR=1000В, TA=+125° C 14 500
    Общая емкость VR = 4 В, f = 1.0 МГц CT 8 пФ

    Тепловые показатели указывают какая скорость отвода тепла от элемента. Они важны, так как часто полупроводниковые приборы выходят из строя из-за перегрева, и используются для расчёта систем теплоотвода.

    Наименование параметра Обозначение Значение Единицы измерения
    Термическое сопротивление кристалл – окружающая среда RθJA 63 ° C/Вт
    Термическое сопротивление кристалл – корпус RθJL 39 ° C/Вт

    Аналоги

    Наиболее полным аналогом MB10F считается диодный мост MB10S. Можно также подобрать и другие альтернативы для замены. При этом следует обращать особое внимание на такие параметры:

    • обратное напряжение;
    • прямой ток;
    • рабочая частота;
    • предельная температура.

    Их значения должны быть не меньше чем у MB10F.

    Принцип работы и использование диодного моста

    В розетках у нас дома переменное напряжение 220 В, а для питания большинства устройств требуется постоянный ток и небольшое напряжение. Для выпрямления тока используется сборка из четырёх диодов.

    Схема моста из четырех диодов

    При этом, как видно из рисунка на вход подаётся переменное напряжение, а с выхода снимается пульсирующее, которое впоследствии можно будет сгладить при помощи конденсатора.

    tipovaya-cxema-mosta

    Для того, чтобы проверить работоспособность диодного моста надо представлять его внутреннюю схему.

    Здесь присутствуют четыре диода. Как известно эти устройства звонятся в одну сторону и не звонятся в другую. Чтобы проверить мост нужно проверить сопротивление от вывода «-» к каждому из «~», в прямом и обратном направлении. После этого делаем прозвонку от «+».

    Производители и Datasheet

    Его производством занимаются много компании, давайте приведём их список и приложим к ним datasheet на MB10F

    • Kingtronics International Company;
    • Suntan Capacitors;
    • Microdiode Electronics;
    • Shenzhen Ping Sheng Electronics.

    В отечественных магазинах чаще всего можно встретить диодный мост от:

    • Diodes Incorporated;
    • Shenzhen Luguang Electronic Technology.

    MB10F

    MB10F

    Подпишитесь на рассылку Макро Групп, чтобы получать новости и статьи об электронных компонентах и мероприятиях.

    Подписаться
    8 800 333-06-05
    © 2024 МАКРО ГРУПП
    Разработка сайта — «Бутик сайтов»
    Мы в соцсетях

    Компания
    Популярное
    База знаний
    Подписка

    Подпишитесь на рассылку Макро Групп, чтобы получать новости и статьи об электронных компонентах и мероприятиях.

    Подписаться
    8 800 333-06-05
    Мы в соцсетях
    © 2024 МАКРО ГРУПП
    Разработка сайта — «Бутик сайтов»
    Подписка на рассылку
    Обратная связь
    Обратный звонок
    Авторизация
    Регистрация
    Введите Ваш email
    Запомнить меня на этом компьютере
    войти Забыли пароль?
    Электронная почта
    Я даю свое согласие на обработку персональных данных
    Зарегистрироваться
    Забыли пароль?

    Если вы забыли пароль, введите Email. Контрольная строка для смены пароля, а также ваши регистрационные данные, будут высланы вам по Email.

    Диодный мост MB10F

    MB10F — кремниевый диодный модуль по схеме мостового выпрямителя. Конструктивное исполнение — MBF-корпус для поверхностного монтажа (SMD).

    Корпус, распиновка, схема

    Диодный мост MB10F

    Предназначение

    Предназначен для двухполупериодного выпрямления однофазного переменного напряжения в источниках питания радиоэлектронной аппаратуры, зарядных устройствах, адаптерах и т. п.

    Характерные особенности

    • Миниатюрность конструкции.
    • Малое падение напряжения в проводящем состоянии.
    • Высокое значение ударного прямого тока.
    • Высокое значение напряжения пробоя в обратном направлении.

    Характеристики, представленные ниже, определялись в следующем режиме: температура внешней среды, если не указано иное, Ta = 25°C. Однофазная сеть, частота 60 Гц, одна полуволна тока, индуктивная или резистивная нагрузка. При емкостной нагрузке значения токов необходимо уменьшить на 20%.

    Предельные эксплуатационные характеристики

    Превышение этих параметров приводит к необратимому ухудшению свойств или потере работоспособности любого п/п прибора.

    Характеристика, ед. измерения Обозначение Величина
    Максимальное повторяющееся обратное напряжение, В 1000
    Максимальное среднеквадратичное обратное напряжение, В URMS 700
    Максимальное блокирующее обратное напряжение постоянного тока, В UDC 1000
    Максимальный среднеквадратичный прямой ток, А IF(AV) 0,5
    Ta = 110°C 0,8
    Максимальный неповторяющийся ударный прямой ток, А IFSM 30
    Тепловое сопротивление p/n-переход – внешняя среда, °С/Вт RƟJA 63 ٭
    Тепловое сопротивление p/n-переход – внешний вывод, °С/Вт RƟJL 39 ٭
    Допустимое значение интеграла плавления (интеграла Джоуля), А 2 с I 2 t 3,74 ٭٭
    Диапазон рабочих температур п/п структуры, °С TJ
    Диапазон температур хранения, °С Tstg -55°С…+150°С

    ٭ — на каждый элемент диодного модуля.

    ٭٭ — при протекании импульса тока длительностью 1 мс…8,3 мс.

    Электрические параметры

    Характеристика, ед. измерения Обозначение Особенности измерений Величина
    Обратное напряжение пробоя, В IR = 5 мкА
    Максимальное падение напряжения в прямом направлении, мгновенное значение, В UF IF = 0,8 А 1,1
    Максимальный обратный постоянный ток при номинальном блокирующем напряжении, мкА IR Ta = 25°C ≤ 5,0
    Ta = 100°C ≤ 500,0
    Емкость p/n перехода при обратном напряжении, пФ CT 8

    Модификации (версии) диодного моста MB10F

    Тип IR IR SMD
    MB10F 700 0,5 25 150 85 1 5 500 13 MBF
    MB10F 1000 700 1000 0,8 35 150 75 1 5 500 15 MB-F
    MB10F 1000 700 1000 0,8 30 150 90 1,1 5 40 13 MBF
    MB10F 1000 700 1000 1 30 150 — 5 500 — MB-F
    MB10F 1000 700 1000 0,8 35 150 70 1 5 100 13 MBF
    MB10FB 1000 700 1000 0,8 30 150 95 1,1 5 40 13 MBF
    MB10FH 1000 700 1000 0,8 30 150 70 1,1 5 100 13 MBF
    MB10FK 1000 700 1000 1 35 150 60 1,1 5 100 13 MBF
    MB10FN 1000 700 — 0,5 25 150 120 0,95 5 500 13 MBF
    MB10FU 1000 700 — 1 35 150 120 1,1 5 500 25 MBF
    MB10F-S 1000 700 1000 0,8 30 150 85 1 5 500 — MBF-S
    1000 700 1000 0,8 30 150 60 1 5 500 13
    MB10F-0,5 1000 700 1000 0,5 20 150 110 1,1 5 40 11 MBF
    MB10F-10 1000 700 1000 1 35 150 80 1,1 5 40 13 MBF
    MB10F-12 1000 700 1000 1,2 40 150 75 1,1 5 80 18 MBF
    MB10F-13 1000 700 1000 0,8 30 150 63 1,1 5 500 8 MBF
    MB10F-15 1000 700 1000 1,5 50 150 70 1,1 5 100 25 MBF
    MB10F-PJ 1000 700 1000 0,8 30 150 90 1,1 5 40 13 MBF

    Аналоги

    Для замены могут подойти блоки диодные кремниевые, диффузионные, выпрямительные, предназначенные для использования в источниках питания и выпрямительных устройствах аппаратуры общего назначения.

    Отечественное производство

    Тип Ta RƟJA UF IR IR CT Корпус
    MB10F 1000 700 1000 0,5 25 150 85 1 5 500 13
    600 — — 1 — 85 — 4 — 125 — —
    КЦ403А/Ж 600 — — 1 — 85 — 4 — 125 — —
    КЦ404А/Ж 600 — — 1 — 85 — 4 — 125 — —
    КЦ405А/Ж 600 — — 1 — 85 — 4 — 125 — —

    Зарубежное производство

    Тип TJ UF IR IR CT Корпус, примечания
    MB10F 25 85 1 5 500 13 MBF (SMD)
    DB107 1000 700 1000 1 50 150 — 1,1 10 500 — DB-1 (SMD)
    DB107S 1000 700 1000 1 50 125 — 1,1 10 500 — DB-1S (SMD)
    DB157 1000 700 1000 1,5 60 150 — 1,1 5 500 — DB-1 (SMD)
    DB157S 1000 700 1000 1,5 60 150 40 1,1 5 500 — DB-S (SMD)
    DF10 1000 700 1000 1 30 150 40 1,1 10 500 25 DIL (SMD)
    B10S 1000 700 1000 0,8 30 150 85 1 5 — 25 MDI (SMD)
    B10S 1000 700 1000 1 35 150 — 1 5 500 — MB-S (SMD)
    B500S 1000 500 — 1 40 150 60 1,1 10 — — SO-DIL (SMD)
    MS500 1000 500 — 0,5 20 150 70 10 — —
    B500C800 1200 500 1200 0,8 45 125 — 1 5 500 — WOB *
    1200 500 1200 1 45 125 — 1 10 500 — WOB *
    W10M 1000 700 1000 1,5 40 125 36 1 10 500 — WOB *
    W10L 1000 700 1000 1,5 50 125 — 1 10 — RC2 *
    W10G 1000 700 1000 1,5 50 125 36 1 10 1000 24 AM *
    RB157 1000 700 1000 1,5 50 125 — 1 10 1000 — RB-15 *
    KBP10M 1000 700 1000 1,5 50 150 28 1,1 10 500 15 KBP *

    Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

    Графические иллюстрации характеристик

    Вид обратной ветви ВАХ выпрямителя

    Рис. 1. Вид обратной ветви ВАХ выпрямителя. Зависимость обратного тока утечки IRот обратного приложенного напряжения на каждом из диодов моста UR (в мгновенных значениях) при различных температурах среды.

    Зависимость емкости p/n перехода диода моста от величины обратного приложенного напряжения

    Рис. 2. Зависимость емкости p/n перехода диода моста CT от величины обратного приложенного напряжения UR.

    Характеристика снята при частоте напряжения f = 1 МГц.

    Вид прямой ветви вольт-амперной характеристики (ВАХ) выпрямителя

    Рис. 3. Вид прямой ветви вольт-амперной характеристики (ВАХ) выпрямителя (диодного моста). Зависимость прямого выпрямленного тока IF от прямого падения напряжения на каждом из диодов моста UF (в мгновенных значениях) при различных температурах среды.

    Зависимость допустимого среднего значения рассеиваемой мощности моста от величины среднего тока нагрузки моста

    Рис. 4. Зависимость допустимого среднего значения рассеиваемой мощности моста PF(AV) от величины среднего тока нагрузки моста IF(AV) при предельной температуре p/n переходов диодов модуля Tj = 150°C.

    Ограничение прямого выпрямленного тока через мост при нарастании температуры внешней среды

    Рис. 5. Ограничение прямого выпрямленного тока IF через мост при нарастании температуры внешней среды Ta.

    Надписи на поле рисунка:

    • Note 5 – при снятии характеристик устройство было смонтировано на печатной плате одностороннего фольгированного текстолита FR-4 размерами 1” × 1” с медными контактными площадками с размерами 0,1” × 0,15”.
    • Note 6 — устройство было смонтировано на печатной плате одностороннего фольгированного текстолита FR-4 размерами 1” × 1” с медными контактными площадками с размерами 0,56” × 0,73”.

    Перегрузочная способность выпрямителя

    Рис. 5. Перегрузочная способность выпрямителя. Зависимость величины максимального неповторяющегося ударного прямого тока IFSM от количества полуволн тока на частоте 60 Гц.

    Надпись на поле рисунка поясняет режим испытаний:

    • температура среды Ta = 25°C;
    • одиночные полуволны тока;
    • длительность полуволн 8,3 мс;
    • (методика по JEDEC).

    Диодный мост MB10F

    При использовании материалов сайта прямая ссылка на источник обязательна.

    Скидка − 0 грн.

    Партнерская скидка − 0 грн.

    Итого 0 грн.

    Ваша корзина пуста.

    • Категорії
    • Радиокомпоненты активные
      • Диоды, мосты
        • Диоды импортные
        • Диоды отечественные
        • Диодные мосты отечественные
        • Диодные мосты импортные
        • Динисторы
        • Симисторы
        • Тиристоры
          • Тиристоры отечественные
          • Тиристоры импортые
          • Стабилитроны отечественные
          • Стабилитроны импортные
          • Микросхемы импортные
          • Микросхемы отечественные
          • Транзисторы импортные
            • Транзисторы полевые
            • Транзисторы IGBT
            • Транзисторы биполярные
            • Оптроны отечественные
            • Оптроны импортные
            • Конденсаторы
              • Конденсаторы элекролитические
              • Конденсаторы электролитические SMD
              • Конденсаторы керамические высоковольтные
              • Конденсаторы керамические SMD
                • Конденсаторы SMD 0402
                • Конденсаторы SMD 0603
                • Конденсаторы SMD 0805
                • Конденсаторы SMD 1206
                • Конденсаторы SMD 1210
                • Конденсаторы SMD 1812
                • Конденсаторы SMD 2220
                • Предохранители стеклянные
                • Термопредохранители
                • Предохранители керамические
                • Держатели предохранителей
                • Предохранители самовосстанавливающиеся
                • Предохранители автомобильные
                • Термостаты

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *