Как подобрать выходные транзисторы для унч

Как подобрать выходные транзисторы для унч

Текущее время: Сб мар 16, 2024 02:13:29

Часовой пояс: UTC + 3 часа

Запрошенной темы не существует.

Часовой пояс: UTC + 3 часа

Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group
Русская поддержка phpBB
Extended by Karma MOD © 2007—2012 m157y
Extended by Topic Tags MOD © 2012 m157y

Работоспособность сайта проверена в браузерах:
IE8.0, Opera 9.0, Netscape Navigator 7.0, Mozilla Firefox 5.0
Адаптирован для работы при разрешениях экрана от 1280х1024 и выше.
При меньших разрешениях возможно появление горизонтальной прокрутки.
По всем вопросам обращайтесь к Коту: kot@radiokot.ru
©2005-2024

Как правильно подобрать парные транзисторы для УНЧ

Электронщики, которые занимаются сборкой и ремонтом звуковой техники знают, что для получения высокого качества усиления звука в УНЧ (усилителях низкой частоты) необходимо использовать парные транзисторы, имеющие практически одинаковые характеристики. Даже относительно небольшой разброс в параметрах между такими парными компонентами может отрицательно влиять на качество выходного звука усилителя низкой частоты (УНЧ).

Пример схемы УНЧ с парными транзисторами:

Проблемной особенностью парных транзисторов является то, что они имеют разную проводимость (одни транзисторы n-p-n проводимости, а другие p-n-p). Различия в проводимости ведет к тому, что чтобы добиться максимальной одинаковости в параметрах парных транзисторов нужно не только эту проблему решать на стадии технологического изготовления, а еще имея уже готовые транзисторы специальным образом делать подбор пар, с наиболее похожими характеристиками.

Нередко бывают случаи, когда человек приобретает парные транзисторы нужного типа, берет свой недорогой Китайский тестер, и начинает измерять имеющейся коэффициент усиления каждого из этих компонентов, видя при этом некоторую разницу в полученных результатах. И это может быть даже в том случае, когда в магазине ему говорили, что покупаемые транзисторы имеют максимальную схожесть параметров. Почему же так происходит? Дело в том, что даже имея в наличии практически идентичные парные компоненты, ошибочные данные можно получить при своих неправильных измерениях.

Перечень причин получения ошибочных данных при измерении парных транзисторов:

• Измерение недорогими Китайскими приборами не могут обеспечить вас точными данными. На то они и дешевые!
• Для получения максимально точных данных обязательно нужно делать измерения сразу двух парных транзисторов с помощью двухканального измерительного прибора. При измерении компоненты должны находящихся в одинаковых условиях (температурных, электрических и т.д.).
• Обязательно нужно учитывать температуру компонента в момент измерения его параметров, учитывая тот факт, что одни данные мы получим при комнатной температуре, и совсем другие при рабочей температуре, скажем так при 70°C.
• Еще имеет значение одинаковость нагрева самого кристалла транзистора. То есть, одно дело, когда мы включили питание и сразу же начали процесс измерения, а другое дело, когда мы постепенно и равномерно прогреваем тестируемые компоненты, сделав температуру на кристаллах одинаковой.
• В datasheet на подобные транзисторы указываются разные коэффициенты усиления при разных коллекторных токах. На что новичок не всегда обращает свое внимание, и пытается видеть лишь максимальное значение.

Для примера давайте возьмем транзисторы со схемы, приведенной выше. Это пара 2SA1943 и 2SC5200. Если посмотреть в datasheet каждого из этих транзисторов, то мы увидим следующее. Коэффициент усиления по току (hFE) при напряжении 5 вольт между коллектором и эмиттером, но разном коллекторном токе будет разный. При токе в 1 ампер hFE указывается минимальный 55, а максимальный 160. При токе (коллекторном) в 7 ампер минимальный hFE уже равен 35, а типичный 60. И новички этого могут даже не учитывать при своих домашних измерения.

Давайте рассмотрим пример правильного проведения подобных измерений парных транзисторов.

1) Проводится включения измерительной оснастки

2) Устанавливается рабочая температура на терморегуляторе

3) На термоплиту устанавливаются измеряемые транзисторы

4) Фиксируются термоизолирующей прокладкой

5) После достижения установленной температуры испытуемые изделия выдерживаются 30 минут

6) Проводится измерение двухканальным источником-измерителем с щупами кельвина

7) Измеренные изделия размещают согласно коэффициенту усиления в специализированных ячейках

Стоит учитывать, что коэффициент усиления транзистора имеет зависимость от температуры p-n перехода и тока в цепи коллектора. В ходе практического анализа работы силовых ключей в усилительных системах с пассивным охлаждением было выявлено среднее значение температуры p-n перехода транзисторов. Проведенный анализ показал, что оптимальное значение температуры для измерения коэффициента усиления составляет 70 °C.

В итоге получаем, что новичок, купивший парные транзисторы для своего УНЧ сначала должен внимательно и подробно ознакомиться с нормативно технической документацией производителя. После этого уже провести измерения с вышеописанными режимами, что позволит получить более реалистичные характеристики данных электронных компонентов. Учтите, что при измерении обязательно необходимо иметь тепловой балласт, иначе p-n переход быстро перегревается (в течении 0,2-0,6 с) от проходящего тока и коэффициент усиления тоже меняется.

Комплементарные пары для УНЧ

Добрый день всем форумчанам! Потребовалось сделать мощный усилитель, работающий на 8 Ом. Напряжение питания +-80 В. В общем-то проблем с реализацией нет, в такой усилитель прекрасно подходят тошибовские пары 2SA1943+2SC5200. Однако столкнулся с тем, что купить оригинальные комплементарные пары выходных транзисторов невозможно. Нашел в одном из магазинов более менее похожие на оригинальные транзисторы — не магнитятся, маркировка не стирается ацетоном, по всем размерам и формам полностью как оригиналы. Купил, провел тест, включив их по схеме с ОЭ. При проверке ток коллектора составил 12,5 А, мощность, рассеиваемая на транзисторе была 145 Вт, держали в течении 30 мин, потом выключил. Следующая проверка-подал высокое напряжение, порядка 190 вольт, без нагрузки держали, задаю пол ампера ток коллектора-пробой транзистора, при этом сопротивление нагрузки 50 Ом. Фото кристаллов прилагаю. Слева откровенное фуфло, а справа не могу понять.
1. Что скажете по поводу кристалла правого транзистора?
2. Есть ли какие-нибудь надежные варианты замены этих пар, может кто поделится опытом выхода из такой ситуации?
3. Сам склоняюсь к КТ8101/КТ8102, их наверняка не подделывают, но подобрать их по бете очень сложно.

• Brigadir
• Сообщений: 35726
• Зарегистрирован: Вс янв 25, 2009 21:16:04
• Откуда: Москва

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Вс май 27, 2018 18:17:35

Анекдот вспомнился: Купил мужик Японскую моторную пилу. Написано: Пилит всё! Ага, дай как проверю: Распилил бревно из сосны — нормально! Попробовал и дубовый столб — пилит! Дай ка я рельсу попробую. дикий скрежет, искры. только зубы пообломал! Врут узкоглазые.
А если более конкретно: научись правильно считать. 190 вольт на нагрузке 50 ом = это около 4 ампер. По мощности это превышает возможности транзистора (почти 800 ва).
Хотя и я считаю от балды, считать надо зная внутреннее сопротивление открытого транзистора.

Последний раз редактировалось Brigadir Вс май 27, 2018 18:30:30, всего редактировалось 1 раз.

• EMiq
• Сообщений: 1020
• Зарегистрирован: Сб дек 27, 2014 18:56:00
• Откуда: 777 RUS

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Вс май 27, 2018 18:20:08

Берем DS 2SA1943 Смотрим график области максимальных режимов. При 190 вольт DC максимальный ток 65-70 мА. При 0.5А он и должен пробиться по мощности — вторичный пробой. При постоянном токе 0.5А не более 90в на транзисторе. Вложения 2SA1943 Safe Operating Area.png (62.83 KiB) Скачиваний: 885

• D.M.A.
• Сообщений: 239
• Зарегистрирован: Ср фев 09, 2011 17:54:06
• Откуда: Пенза

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Вс май 27, 2018 18:39:30

Хм, да. В реальности на К-Э не было 190 В, было порядка 150 с учетом просадок и еще на нагрузке упало напряжение, но все равно я вышел за их допустимый режим работы. То, что слева фуфел я не сомневаюсь, а вот справа вызывает сомнения. Что можете предложить для такого усилителя?
Для бригадира: транзистор был в линейном режиме, ток составлял 0,5 А, на нагрузке упало напряжение 25 В.

• EMiq
• Сообщений: 1020
• Зарегистрирован: Сб дек 27, 2014 18:56:00
• Откуда: 777 RUS

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Вс май 27, 2018 20:30:59

При питании 2х80 вольт Вы собираетесь получить на 8 Ом около 350 Вт? Если это так, то максимальная рассеивания мощность на каждом плече выхода будет при амплитуде выхода (2/Pi)*Vcc= 0.637*80=50.96V амплитудного, или 36V RMS. Пиковый ток в нагрузке будет 50.96/8= 6.37А. Это на активной нагрузке. На реактивной раза в 1.5 больше. Исходя из этого и выбирайте количество параллельных транзисторов в каждом плече усилителя, с учетом их ОБР ( области безопасной работы). Может быть лучше сделать на полевиках в выходном каскаде. Следует учитывать рост входной емкости таких сборок и сложность построения каскадов их раскачки.

• D.M.A.
• Сообщений: 239
• Зарегистрирован: Ср фев 09, 2011 17:54:06
• Откуда: Пенза

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Вс май 27, 2018 21:14:17

Да, примерно на такую мощность и рассчитываю. Транзисторы и их количество я прикинул, вопрос где их взять теперь. Заказывал в промэлектронике — привезли «левые», в местных магазинах не лучше, вот в одном нашел что то похожее на оригинал. Думал может кто поделится где берет небольшие партии таких мощных транзисторов или их менее популярную замену. Сам предпочитаю покупать мертвые старые автоусилители на распайку, в основном в них горит ПН, выходной каскад жив как правило и транзисторы поддельные не попадались. Но там менее мощные и для этих целей не подходят. В любом случае спасибо за Ваши ответы.

• kentgaryk
• Сообщений: 32532
• Зарегистрирован: Ср янв 08, 2014 04:21:09
• Откуда: Москва

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Пн май 28, 2018 08:49:38

Прекратите флуд в техническй теме. Это не МЯУ.

Последнее предупреждение. Fakir.

• vk696
• Сообщений: 152
• Зарегистрирован: Пн мар 06, 2017 18:53:23
• Откуда: Казань.

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Пн май 28, 2018 09:14:33

для тех кто не понял, транзюки левые или нет? размер кристалла на фото смущает.

на фото транзистор справа оригинальный.

соглашусь с тем, что 8101 и 8102 не подделывают.

818 и 819 в металле не так уж и плохи.

• D.M.A.
• Сообщений: 239
• Зарегистрирован: Ср фев 09, 2011 17:54:06
• Откуда: Пенза

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Пн май 28, 2018 11:41:48

:facepalm: навеяло.

Вы можете предложить другой способ проверки подлинности, не такой «суровый»?

818/819 хорошие транзисторы, но Uкэmax у них 80 В.

• kentgaryk
• Сообщений: 32532
• Зарегистрирован: Ср янв 08, 2014 04:21:09
• Откуда: Москва

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Пн май 28, 2018 12:13:34

Могу предложить внимательно читать даташит из которого следует что ток 0,5А является для транзистора максимальным при напряжении К-Э=90В и температуре корпуса 25С.

• vk696
• Сообщений: 152
• Зарегистрирован: Пн мар 06, 2017 18:53:23
• Откуда: Казань.

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Пн май 28, 2018 12:20:06

погуглил на тему комплементарных пар в выходные каскады.
вот что пишут на одномиз форумов.
мжт кому пригодиться.

1) биполярники ONS MJ15024\15025,
2) биполярники ONS MJL21193\21194
3) биполярники Sanken 2SA1215\2SC2921
4) биполярники Sanken 2SA1216\2SC2922
5) биполярники ONS MJL1302\3281
6) биполярники Toshiba 2SA1943\2SC5200
7) полевики Magnatec BUZ900DP\BUZ905DP
полевики Hitachi 2SJ49\2SK134
9) биполярники Toshiba 2SA1942\2SC5199
10) полевики Toshiba 2SJ201\2SK1530
11) биполярники Sanken 2SA1186\2SC2837
12) полевики Hitachi 2SJ162\2S1058
13) полевики Toshiba 2SJ115\2SK405
14) IGBT Toshiba GT20D101\GT20D201
15) полевики IR IRF240\IRF9240

• D.M.A.
• Сообщений: 239
• Зарегистрирован: Ср фев 09, 2011 17:54:06
• Откуда: Пенза

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Пн май 28, 2018 12:47:34

Уже ранее сказал ув. EMiq, что я вышел за ОБР транзистора при тесте и я согласился. Но и размер кристалла может сказать о многом: если он со спичечную головку, как на фото выше — очевидно фуфел, в моем случае не понятно. Нужно и правда искать замену популярным 5200/1943, слишком много подделок.

• kentgaryk
• Сообщений: 32532
• Зарегистрирован: Ср янв 08, 2014 04:21:09
• Откуда: Москва

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Пн май 28, 2018 12:52:32

D.M.A. писал(а): Уже ранее сказал ув. EMiq
дык сказать то сказал, но вопрос то остался
D.M.A. писал(а): Вы можете предложить другой способ проверки подлинности, не такой «суровый»?

Если будешь все купленные транзисторы проверять до свершения БАХа то в усилитель ставить будет нечего.

• vk696
• Сообщений: 152
• Зарегистрирован: Пн мар 06, 2017 18:53:23
• Откуда: Казань.

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Пн май 28, 2018 13:25:46

вот вот, лабораторный источник питания в мастерскую нужно однако желательно.

• EMiq
• Сообщений: 1020
• Зарегистрирован: Сб дек 27, 2014 18:56:00
• Откуда: 777 RUS

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Пн май 28, 2018 17:51:12

Для таких мощностей лучше уходить на МOSFET типа IRFP240 IRFP9240. Схемы на них есть. Сравните кривые ОБР с биполярными. У каждого типа свои преимущества и недостатки. Вложения IRFP9240.pdf (388.8 KiB) Скачиваний: 358 IRFP240.pdf (375.87 KiB) Скачиваний: 311

• Brigadir
• Сообщений: 35726
• Зарегистрирован: Вс янв 25, 2009 21:16:04
• Откуда: Москва

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Пн май 28, 2018 20:26:16

При питании 2х80 вольт Вы собираетесь получить на 8 Ом около 350 Вт? Если это так, то максимальная рассеивания мощность на каждом плече выхода будет при амплитуде выхода (2/Pi)*Vcc= 0.637*80=50.96V амплитудного, или 36V RMS. Пиковый ток в нагрузке будет 50.96/8= 6.37А. Это на активной нагрузке. На реактивной раза в 1.5 больше. Исходя из этого и выбирайте количество параллельных транзисторов в каждом плече усилителя, с учетом их ОБР ( области безопасной работы). Может быть лучше сделать на полевиках в выходном каскаде. Следует учитывать рост входной емкости таких сборок и сложность построения каскадов их раскачки.

Создать то усилитель бешеной мощности не Великая проблема. Вопрос — а зачем?
Озвучивать зал Консерватории? Визг Лепса плохо слышно.
Но такому усилителю в 350 честных ватт, а не китайское фуфло, нужна и акустика (ящики с мощнейшими динамиками) соответствующая! И опять: не Китайское фуфло, а настоящие, которые и стоят как автомобиль Ока!
Когда то перед нами стояла подобная проблема (играл в музыкальном коллективе), где требовалось достойно озвучивать весьма большие залы, а купить Биг — 100 или подобие тогда было просто невозможно (72 — 75 года прошлого века). Довольствовались усилителем (самопал, ламповый) на 50 ватт. Ибо купить можно было не более 20 ватт и те вылетали в момент.
Простите за критику, но. настоящий музыкант (озвучить Большой зал) = имеет деньги на соотвествующую эстрадную аппаратуру. А школьнику в комнатушку и 10 ватт выше . (матом).
У него просто не хватит денег на мощный динамик и не один, чтоб наскрести на 350 ватт.
Извините за критику.

• EMiq
• Сообщений: 1020
• Зарегистрирован: Сб дек 27, 2014 18:56:00
• Откуда: 777 RUS

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Пн май 28, 2018 20:38:52

Потребовалось сделать мощный усилитель, работающий на 8 Ом. Напряжение питания +-80 В.

Автор поставил вопрос именно так. Спросил совета про выходные транзисторы. Не говорил для чего. Остальное — ему решать.

• D.M.A.
• Сообщений: 239
• Зарегистрирован: Ср фев 09, 2011 17:54:06
• Откуда: Пенза

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Пн май 28, 2018 22:27:15

Бригадир, я прекрасно знаю что такое 300 Вт, ровно также понимаю, что это очень много, если подавать их на концертную акустику с высокой чувствительностью. Однако почему вы решили, что у меня такая акустика будет использоваться? В распоряжении только «дубовые» динамики, которым нужно немало мощности, чтобы они заиграли. Плюс хочу обеспечить запас по мощности и спортивный интерес занимает не последнее место. Есть усилитель на 120 честных ватт (правда в 4 ома), построенный мной когда-то, этого недостаточно.

• Brigadir
• Сообщений: 35726
• Зарегистрирован: Вс янв 25, 2009 21:16:04
• Откуда: Москва

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Вт май 29, 2018 11:36:18

Я как раз сегодня, решил достать динамик из колонки бывшего музыкального центра Айва. На нем написано — 45 W Диффузор с ладошку .магнитик со спичечный коробок. ты думаешь я поверил?
Да и усилитель — камень STK размером с зажигалку. написано — 100 вт. (на самом деле: динамик 4,5 ВА и усилок на 10 ВА).
Но для домащнего Музцентра — это нормальная мощь — звучал достаточно громко, приходилось уменьшать громкость более, чем наполовину.
Потому и не понимаю: зачем упираться, пытаясь выжать из усилка 300 — 1000 ватт?
Удивить кого то?
И ещё: динамик этот имеет «корзину» из пластика. Хотя. какая разница?
Честный 30 — 50 ваттный динамик имеет диаметр диффузора поболее 30 см, чтоб толкать большую массу воздуха с приемлемым ускорением и огромный магнит. а не 10 см. А такие динамики весьма дороги. эстрадные, рассчитаны озвучивать огромную площадь!
А мощные усилки давно делают в D — варианте. С ШИМ регулированием. Где транзисторы работают в импульсном, ключевом режиме. У них и КПД приближается к 100%
Попробуй такой создать. Может понравится? Хотя бы ради спортивного интереса.

• As
• Сообщений: 42346
• Зарегистрирован: Пт янв 23, 2009 19:20:05

Re: Комплементарные пары для УНЧ

Вт май 29, 2018 14:22:58

. А ведь мощные транзисторы в выходном каскаде можно не только параллелить — гляньте, как был выполнен выходной каскад в бытовом усилителе «Корвет 100УМ-048», там КТ818/КТ819 были включены по два ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНО, и усилитель свободно «давил» под 400 ватт на 4 ома нагрузки, питание выходного каскада 2х56 вольт номинально (под нагрузкой. ), в покое 2х65 вольт! Воспользовавшись тем же методом, можно включить последовательно по три транзистора в плече, и даже с древними КТ818ГМ/КТ819ГМ убраться в ОБР и получить заданную мощность.

Powered by phpBB © phpBB Group.

phpBB Mobile / SEO by Artodia.

УМЗЧ со стоками выходных транзисторов, соединенными с общим (100Вт)

Вниманию радиолюбителей предлагается инвертирующий УМЗЧ. Входной дифференциальный каскад выполнен на полевых транзисторах по симметричной схеме. Преимущества полевых транзисторов в дифкаскаде общеизвестны: высокая линейность, высокая перегрузочная способность, малые шумы.

Технические характеристики:

• Выходная мощность на нагрузке 8 (4) Ом, Вт — 60 (100);
• Диапазон воспроизводимых частот, Гц — 4. 300000;
• Коэффициент НИ, % — 0,1;
• Номинальное входное напряжение, В — 2,0;
• Ток покоя выходных транзисторов, А — 0,15;
• Входное сопротивление, кОм — 2.

Принципиальная схема

Применение полевых транзисторов позволило существенно упростить схему — отпала необходимость в генераторах тока. DA1 504НТЗ(4)Б можно заменить подобранной парой КП103Л/Г/М/Д; КП307В — КП307Б/А/Е, КП302А или транзисторной сборкой КПС315А, КПС315Б (в этом случае плату придется переработать). Для увеличения коэффициента усиления ДК сигнал снимается с обоих плеч дифкаскада, а также на входе второго каскада установлен эмиттерный повторитель.

Второй каскад выполнен по каскодной схеме со следящим питанием. Следящее питание каскада с ОЭ нейтрализует входную динамическую емкость (эффект Миллера) и эффект Эрли (зависимость тока коллектора от напряжения эмиттер-коллектор) и выполнено на транзисторах VT5, VT6, VT8 и VT9.

В качестве выходных транзисторов каскада использованы БСИТ транзисторы. Например, транзистор КП959 по сравнению с КТ940 имеет вдвое большую граничную частоту и вчетверо меньшую емкость коллектора. В качестве VT8, VT9 можно использовать транзисторы типа КТ851, КТ850, а также КТ814Г, КТ815Г Минского объединения «Интеграл» (граничная частота 40 МГц).

Использование выходного каскада с питанием от отдельных изолированных источников позволило обойтись низковольтным питанием (±10 В) для предварительного усилителя.

Выходной каскад выполнен на мощных МДП-транзисторах, и, несмотря на соединение стоков с общим проводом (на первый взгляд включены по схеме ОС), работают по схеме с общим истоком (ОИ) без инверсии сигнала. Как видно из схемы все каскады усилителя охвачены глубокими местными отрицательными обратными связями по току.

Благодаря тому, что частота среза усилителя с разомкнутой цепью ООС равна частоте среза усилителя с замкнутой цепью, глубина ООС во всей полосе воспроизводимых частот постоянна, что способствует и постоянству Кг Снизу полоса ограничена входной емкостью С1, сверху — конденсатором С4 (с конденсатором 1,5 пФ частота среза равна 450 кГц).

Конструкция и детали

Усилитель выполнен на двухсторонней плате размером 110×130 мм. Со стороны установки элементов плата максимально заполнена общим проводником. Резисторы R19, R20, R22, R23 выполнены из манганинового провода и представляют собой отрезки провода 0 0,4 мм и длиной 100 мм. Для исключения индуктивности этих резисторов провод складывают пополам и в сложенном виде наматывают на оправке 04 мм с шагом 1,5. 2 мм.

Индуктивность L1 мотают проводом ПЭВ-2 00,8 виток к витку по всей поверхности резистора R24 мощностью 2 Вт.

Полевые транзисторы с каналом n-типа VT1, VT2 необходимо подобрать с примерно таким же начальным током стока, как и в транзисторах полевой сборки DA1. Напряжения отсечки не должны отличаться более чем на 20%.

Оптимальный ток дифкаскада выставляют резистором R3 по минимуму искажений на максимальной мощности (примерно в середине рабочего участка). Резисторы R4, R5 рассчитаны на ток около 2. 3 мА в каждом плече при начальном токе стока около 4. 6 мА. При меньшем начальном токе стока указанные резисторы необходимо пропорционально увеличить.

Транзисторы VT8, VT9 снабжены небольшим радиатором-флажком. Ток покоя выходных транзисторов в пределах 120. 150 мА устанавливают резистором R3, а также подбором резисторов R13, R14.

Помимо указанных можно использовать следующие пары МДП-транзисторов: IRF530, IRF9530; 2SK216, 2SJ79; 2SK133. 2SK135, 2SJ48. 2SJ50; 2SK175, 2SK176, 2SJ55, 2SJ56 и др.

Для стереофонического варианта каждый усилитель запитывают от отдельного трансформатора, желательно тороидального или стержневого (типа ПЛ), мощностью 180. 200 Вт.

Между первичной и вторичными обмотками необходимо проложить экранирующую обмотку в виде одного слоя, намотанного виток к витку проводом ПЭВ-2 00,5 мм. Один конец обмотки соединяют с общим проводом. Выводы силовых обмоток подводят к плате усилителя экранированным проводом.

Экран заземляют с одной стороны на плате усилителя. На одном из трансформаторов мотают обмотки для предварительного усилителя. Стабилизатор напряжения ±15 В выполнен на специализированных микросхемах типа IL7815AC (+15 В), IL7915AC (—15 В) — на схеме не показан. Для подачи на плату питания ±15 В использован соединитель ОНп-КГ-26-3.

• Микросхема STK4067 — мощный мостовой УНЧ (40Вт при 9-16В)
• Мощный усилитель на микросхеме TDA1514A (50 Вт)
• Схема УНЧ на микросхеме TDA1560 (40Вт мостом)
• Схема УНЧ с электронной регулировкой громкости на TDA8199