Зависимость интенсивности света от длины волны при дифракции на щели в экране Текст научной статьи по специальности «Физика»
Аннотация научной статьи по физике, автор научной работы — Глущенко Александр Григорьевич, Глущенко Евгения Павловна, Борисенко Арина Юрьевна
Дифракция волн приводит к перераспределению энергии в пространстве. Сигналы, используемые в системах связи и телекоммуникаций, обладают спектром, зависящим от типа модуляции. В статье рассматривается зависимость интенсивности света от длины волны и параметров дифракционной структуры в зоне дифракции. Установлено искажение спектра исходного сигнала в зоне дифракции . Рассмотрена степень искажения спектра в зависимости от параметров дифракционной структуры, установлен рост искажения с увеличением угла дифракции .
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Похожие темы научных работ по физике , автор научной работы — Глущенко Александр Григорьевич, Глущенко Евгения Павловна, Борисенко Арина Юрьевна
Повышение метрологических характеристик акустооптических приборов на основе результатов изучения взаимодействия акустооптических полей
Спектрально-временная эволюция электрического поля терагерцового импульса при дифракции Фраунгофера на щели
Автоматизированная система измерений параметров дифракции на пленках полимеров с периодическим микрорельефом
Природа света
Формирование заданных распределений на основе разложения по вихревым собственным функциям ограниченного непараксиального оператора распространения
i Не можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Текст научной работы на тему «Зависимость интенсивности света от длины волны при дифракции на щели в экране»
ЗАВИСИМОСТЬ ИНТЕНСИВНОСТИ СВЕТА ОТ ДЛИНЫ ВОЛНЫ ПРИ ДИФРАКЦИИ НА ЩЕЛИ В ЭКРАНЕ
Глущенко А.Г. , Глущенко Е.П. , Борисенко А.Ю. Email: Glushchenko1152@scientifictext.ru
1Глущенко Александр Григорьевич — доктор физико-математических наук, профессор;
2Глущенко Евгения Павловна — кандидат физико-математических наук, доцент;
3Борисенко Арина Юрьевна — студент, кафедра физики,
Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики,
Аннотация: дифракция волн приводит к перераспределению энергии в пространстве. Сигналы, используемые в системах связи и телекоммуникаций, обладают спектром, зависящим от типа модуляции. В статье рассматривается зависимость интенсивности света от длины волны и параметров дифракционной структуры в зоне дифракции. Установлено искажение спектра исходного сигнала в зоне дифракции. Рассмотрена степень искажения спектра в зависимости от параметров дифракционной структуры, установлен рост искажения с увеличением угла дифракции. Ключевые слова: дифракция, дисперсия интенсивности, искажение спектра.
DEPENDENCE OF INTENSITY OF LIGHT FROM THE LENGTH OF THE WAVE DIFFRACTION BY A SLOT IN THE SCREEN
Glushchenko A.G. , Glushchenko E.P. , Borisenko A.Yu.
1Glushchenko Alexander Grigorievich — Doctor of physical and mathematical sciences, Professor;
2Glushchenko Evgeniya Pavlovna — Candidate of Physical and Mathematical Sciences, Associate Professor;
3Borisenko Arina Yuryevna — Student, DEPARTMENT OF PHYSICS, VOLGA STATE UNIVERSITY TELECOMMUNICATIONS AND INFORMATICS,
Abstract: diffraction of waves leads to the redistribution of energy in space. Signals used in communications and telecommunications systems have a spectrum depending on the type of modulation. The article discusses the dependence of light intensity on the wavelength and the parameters of the diffraction structure in the diffraction zone. The distortion of the spectrum of the original signal in the diffraction zone has been established. The degree of distortion of the spectrum depending on the parameters of the diffraction structure is considered, and the increase in the distortion with increasing diffraction angle is established. Keywords: diffraction, intensity dispersion, spectrum distortion.
Дифракция плоских волн на отверстии в экране, в частности, дифракция Фраунгофера проявляется в перераспределении энергии волн в пространстве за экраном и описана в литературе достаточно подробно для монохроматических волн [1-5]. Реальные сигналы имеют спектр, поэтому представляют интерес дисперсионные характеристики поля в различных точках пространства, которые, однако, в литературе не рассматривались. В настоящей работе рассматривается зависимость относительной интенсивности поля от нормированной на параметры структуры длины волны. Рассчитана зависимость распределения интенсивности волн от направления дифрагирующих лучей и длины волны. Установлено, распределение
интенсивности света по длинам волн меняется с изменением угла дифракции, что необходимо учитывать при построении телекоммуникационных систем.
Пусть на тонкий плоский экран с длинной щелью падает плоская световая волна (рис. 1). Волновая поверхность падающей волны, плоскость щели и экран параллельны друг другу. Считаем щель бесконечно длинной, тогда картина, наблюдаемая в любой плоскости x0у, перпендикулярной к щели, будет одинакова = 0). Разобьем открытую часть волновой поверхности (у = 0,0 < X < а) на параллельные краям щели элементарные зоны
излучения ширины dx. Вторичные волны, посылаемые зонами в направлении, определяемом углом ф (0 < ф < 2), соберутся в одной из точек экрана Р. Пусть каждая
элементарная зона волновой поверхности dx создаст в точке Р колебание dE, амплитуда которого пропорциональна ширине зоны dx. Следовательно, амплитуда колебания dE,
возбуждаемого зоной ширины dx в любой точке экрана, имеет вид: с1Е = СсХ, где С -константа, коэффициент пропорциональности, не зависящий от угла ф, под которым рассматривается дифракционная картина. Результирующая амплитуда колебаний, создаваемая всеми зонами, ищется интегрированием С— по всей ширине щели а:
Е0 = | СЕ = | Cdx = Са ■ Отсюда С = —0 и слеДовательно, СЕ = -0 dx. Определим 0 0 а а фазовые соотношения между колебаниями С— , создаваемые различными элементами С^ : с координатой X = 0 и зоной в произвольной точке X (рис. 1).
Рис. 1. Ход лучей в области дифракции
Если начальная фаза колебания, возбуждаемого в точке Р элементарной зоной,
находящейся с края щели (X = 0), равна нулю, то начальная фаза колебания,
возбуждаемого зоной с координатой X , будет равна: kÁ = kxsin ф, где к = 2п/% —
волновое число, % — длина волны.
Колебание, возбуждаемое элементарной зоной с координатой х в точке Р (положение которой определяется углом ф ), может быть представлено в виде:
i\ Qt — x sin ф |dx
где u = — a sin ф. Дифракционная картина симметрична относительно центра линзы. %
Амплитуда результирующего колебания зависит от направления, угла дифракции ф,
ширины щели аи длины волны Л: Ер =E0I I. Интенсивность определяется
На рис.2 показан график зависимости распределения интенсивности излучения для трех углов дифракции от отношения ширины щели к длине волны в диапазоне 0 < а < 5Л. Из графика следует, что при малых углах дифракции искажение спектра наименьшее (при
на которых интенсивность равна нулю растет (рис.2). Под углом ( = 20° имеется минимум интенсивности при Л = а/3, под углом л/6 на двух длинах волн
Минимумы интенсивности при заданным направлении ( (0 < (< л/2) наблюдаются на длинах волн:
Лп, min =-, где п = МА—-
0 1.0 2.0 3.0 4. 0 5.0
Рис. 2. График интенсивности света при заданных углах дифракции: 1- ф = 10 , 2 — ф = 200 3- ф = 300 , 4- ф = 450 5- ф = 600 б- ф = 800
и зависят, таким образом, от угла наблюдения ф и ширины щели. Число минимумов в заданном интервале длин волн определяется соотношением П < а/%. На рис.3 показана зависимость длин волн % п min, на которых интенсивность равна нулю в зависимости от угла дифракции для различных П . При больших углах дифракции (ф >л/6) величина % П min от угла дифракции практически не зависит. При ширине щели, меньшей длины
волны, минимумы интенсивности вообще не возникают. В этом случае интенсивность света монотонно убывает от середины экрана к ее краям.
Рис. 3. Зависимость %п min от угла дифракции
При углах дифракции ф > 0 наблюдается искажение спектра падающего на отверстие излучения с вырезанием спектральных составляющих на частотах, определяемых соотношением: ПС
Числовое значение частот зависит от угла дифракции. Это означает, что искажение спектра под разными углами дифракции будет различным. С увеличением угла дифракции,
также и ширины щели расстояние А V между частотами Уп с минимальной интенсивность
света растет. Параметр Аv зависит (рис.4) от ширины щели а, угла дифракции и не зависит от номера П частоты, на которых наблюдается минимум интенсивности:
Наибольшая зависимость Ау наблюдается при углах дифракции (ф < л/6). Таким
образом, дифракция волн приводит не только к перераспределению энергии волн в пространстве, которое зависит от частоты (или длины волны) но и к частотному искажению сигналов (в особенности широкополосных сигналов), что необходимо учитывать при создании систем связи.
Рис. 4. Зависимость разности частот А V между частотами с минимальной интенсивностью от
Прохождение сигнала через совокупность щелей N при радиусе когерентности много больше длин волн, определяющих спектр сигнала, может быть описано соотношением для интенсивности колебаний в точке Р, положение которой определяется углом ф, в виде [2]:
2 2 !ф _(sinu^ (sinNyu^
u = n(a¡^)sin ф, y = d/a. Первый сомножитель описывает распределение интенсивности, формируемое отдельной щелью шириной a в экране, второй -совокупностью когерентных излучателей, расположенных с периодом d. На рис.5 a,b показана интенсивность излучения в фиксированном направлении в зависимости от относительной длины волны для различного количества щелей N . При увеличении N растет число длин, волн для которых интенсивность излучения в данном направлении падает до нуля. Число провалов пропорционально N (рис.5 a,b). Длины волн, на которых интенсивность падает до нуля для разных точек наблюдения Р также как и для дифракции на одиночной щели зависят от угла ф .
XI Международная студенческая научная конференция Студенческий научный форум — 2019
Зависимость распределения интенсивности света от длины волны при дифракции на щели
Борисенко А.Ю. 1
Работа в формате PDF
Текст работы размещён без изображений и формул.
Полная версия работы доступна во вкладке «Файлы работы» в формате PDF
Явление дифракции широко используется в спектроскопии для изучения спектров различных источников излучения и описано в литературе обычно в виде расчета интенсивности распределения света в зависимости от угла дифракции , измеряемого для щели или плоской решетки от нормали к плоскости экрана [1,2] . Известно, что распределение интенсивности света зависит также от длины волны излучения, падающего экран. В настоящей работе рассматривается распределение интенсивности от длины волны падающего излучения. Установлена сильная зависимость интенсивности излучения от длины волны. Определены зависящие от угла дифракции критические длины волн, на которых интенсивность излучения равна нулю.
Отсюда и, следовательно, . Рассмотрим фазы колебаний, возбуждаемых в точке Р двумя элементарными зонами: с координатой и зоной в произвольной точке щели (рис.1).
Разность фаз колебаний, возбуждаемых в точке Р элементарными зонами: 1- с края щели и 2- зоной с координатой , будет равна: , где — волновое число, — длина волны.
К олебание, возбуждаемое щелью шириной может быть представлено в виде:
где . Интенсивность равна:
На рис.2 показан график зависимости распределения интенсивности излучения для различных углов дифракции от отношения ширины щели к длине волны падающего излучения. Из графика следует, что интенсивность света в наименьшей степени зависит от длины волны (наименьшее искажение спектра исходного сигнала) при малых углах дифракции. Но уже под углом 20 0 интенсивность равна нулю при , т.е. появляются длины волн, для которых интенсивность света равна нулю. С ростом угла дифракции искажение спектра растет .
Рис.2. Зависимость интенсивности света от отношения ширины щели с длине волны при различных углах дифракции: 1- , 2 — 3- ,4- 5- 6-
Можно показать, что интенсивность света минимальна на длинах волн:
Отметим, что эти критические значения длин волн различны для различных углов дифракции.
Заключение. Таким образом, дифракция волн на экранах приводит к перераспределению энергии волн в пространстве, которое зависит от частоты (или длины волны) и приводит, как и при интерференции [3], к частотному искажению сигналов, в особенности широкополосных сигналов, что необходимо учитывать при создании элементов систем связи.
Борн М., Вольф Э. Основы оптики. — М.: Наука, 1973. — 720 с.
Савельев И.В. Курс физики. Т.2. Электричество и магнетизм. Волны. Оптика. Учебники для ВУЗов.- Лань СПб.- 2008.- 480 с.
Глущенко А.Г., Глущенко Е.П. Научный вестник . 2015. – № 3 (5) . – с. 108-112.
1.2.2. Поглощение света в кристаллах
Интенсивность света, проходящего через вещество, постепенно уменьшается. Поглощение электромагнитного излучения твердым телом осуществляется различными путями: 1) энергия излучения расходуется на перевод электронов в более высокое энергетическое состояние; 2) энергия электромагнитного поля передается кристаллической решетке и превращается в тепло.
Возможные переходы электронов в кристаллах под действием света показаны на рис. 1.2.2,а, где Е B C B — энергия, соответствующая нижнему краю зоны проводимости; E B V B — верхнему краю валентной зоны. Переход 1 приводит к появлению электрона в зоне проводимости и дырки в валентной зоне, он возможен при энергии фотонов h ν ≥ E B C B — E B V B и соответствует собственному (фундаментальному) поглощению. В момент возникновения созданные светом носители заряда могут и не находиться в тепловом равновесии с кристаллической решеткой. Однако вследствие взаимодействия с ней эти носители быстро (примерно за 10 P -10 P с) передают решетке свою избыточную энергию (этот процесс называется термализацией), поэтому распределение по энергиям избыточных и основных носителей заряда будет одинаковым.
Рис. 1.2.2. Основные электронные переходы при поглощении света в кристаллах (а), прямые и непрямые межзонные переходы (б)
При поглощении электроном фотона должны выполняться законы сохранения энергии и импульса, поэтому более наглядно поглощение света описывается с помощью схемы, учитывающей изменение энергии Е и импульса p. На рис.1.2.2, показана зависимость энергии электрона в зоне проводимости для определенного направления в кристалле (вверху) и дырки в валентной зоне (внизу) от импульса. Сплошная линия соответствует полупроводнику или диэлектрику, у которых минимумы энергии электрона и дырки находятся в одной точке пространства импульсов (прямозонный материал), пунктирная — когда эти минимумы могут быть разнесены (учитывается, что в простейшем случае зависимость кинетической энергии электрона от импульса задается функцией ).
Для материалов с прямыми зонами (например, GaAs с Δ E =1,4 эВ; CdSe — 1,8 эВ; CdS — 2,5 эВ; ZnO — 3,1 эВ и т.д.) преобладают прямые межзонные переходы (переходы 1), происходящие без изменения импульса. Такие переходы возможны, так как импульс фотона (с — скорость света) очень мал и приращением импульса электрона, поглотившего фотон, можно пренебречь. В прямозонных веществах имеют место и непрямые переходы (переходы 1´), когда сохранение импульса обеспечивается генерацией или поглощением фонона или за счет рассеяния на свободных носителях заряда и дефектах кристаллической решетки. При этом могут осуществляться переходы из любого занятого состояния валентной зоны в любое свободное состояние зоны проводимости.
В непрямозонных кристаллах (например, Ge с Δ E =0,7 эВ; Si — 1,1 эВ; GaP — 2,3 эВ и т.д.) доминируют непрямые переходы, соответствующие наименьшей энергии фотонов (переходы 1″), при этом в процессе поглощения фотона участвует третья частица — фонон, с которой и связано изменение импульса электрона.
В сильно легированных полупроводниках (например, n -типа проводимости) состояния вблизи дна зоны проводимости заполнены электронами и собственное поглощение, связанное с переходами в эти состояния, оказывается невозможным.
В результате край собственного поглощения смещается в сторону больших частот (эффект Бурштейна-Мосса).
При поглощении света кристаллическим твердым телом возможно и такое возбуждение электрона валентной зоны, при котором он не переходит в зону проводимости, а образует с дыркой связанную кулоновскими силами систему (см. рис.1.2.2 а, переход 2; энергия системы обозначена чёрточками вблизи зоны проводимости). Такая система называется экситоном. В предположении слабого взаимодействия, когда размеры экситона велики по сравнению с постоянной решетки кристалла, экситон можно представить как электрон и дырку, связанные кулоновскими силами и медленно двигающиеся по большим орбитам относительно их центра масс. В такой модели экситон ведет себя аналогично атому позитрония и имеет водородоподобную схему расположения энергетических уровней (квазичастица, предсказанная в 1931 г. Я.И.Френкелем и впервые зафиксированная в спектрах поглощения кристаллов закиси меди Е.Ф.Гроссом в 1951 г.). Поскольку экситон может перемещаться по кристаллу, полная энергия свободного экситона складывается из внутренней энергии экситонного возбуждения и его кинетической энергии:
где М — полная масса экситона, равная сумме масс электрона и дырки; E0= ΔE — Ex
(Ex — энергия связи экситона), k — его волновое число.
Подобно атому водорода экситон может находиться в возбужденном состоянии, поэтому в спектральной области, близкой к краю собственного (межзонного) поглощения, может наблюдаться водородоподобная серия узких пиков экситонного поглощения. Экситоны могут образовываться как в результате прямых, так и непрямых переходов. Они являются нейтральными образованиями (подчиняются статистике Бозе) и их появление не приводит к изменению электрических характеристик образца. Если температура достаточно высока, чтобы под действием тепловой энергии экситонный электрон смог перейти в зону проводимости, то конечным итогом будет тот же результат, что и при межзонном поглощении света. Экситоны могут локализоваться возле различных дефектов кристаллической структуры (в основном, у нейтральных), и в спектрах поглощения можно наблюдать линии, обусловленные возникновением таких связанных экситонов. В этом плане спектроскопия связанных электронов (обычно при низких температурах, Т = 4,2 ¸ 77 К) широко используется для обнаружения точечных дефектов в кристаллах.
При энергии фотонов h ν < E B C B — E B V B могут происходить переходы электронов с локальных уровней примесей или собственных дефектов в зону проводимости (см. рис. 1.2.2 а, переход 3) или из валентной зоны на эти уровни (переход 4). Если кристаллы содержат почти в равных и достаточно больших количествах как донорные, так и акцепторные дефекты, то возможна ситуация, когда доноры и акцепторы будут находиться недалеко друг от друга (на расстоянии меньше или порядка 10 нм). В этом случае будет иметь место перекрытие электронных орбит (точнее, волновых функций) донора и акцептора, которые образуют так называемые донорно-акцепторные пары (ДАП). При поглощении кванта света возможен переход электрона с акцепторного на свободный донорный уровень ДАП (переход 5). Зависимость кулоновского взаимодействия между донором и акцептором от межатомного расстояния между ними задает целый ряд значений энергии такого поглощения:
где ΔE — ширина запрещенной зоны; Ed и EA — энергии ионизации донора и акцептора соответственно; q — заряд электрона (случай однократно заряженных дефектов); r — расстояние между центрами ДАП; e — статическая диэлектрическая проницаемость cреды.
Расстояние между линиями поглощения в ДАП определяется, таким образом, дискретными положениями дефектов в кристаллической решетке.
Переходы 1, 3, 4 изменяют электропроводность кристаллов, на этом явлении внутреннего фотоэффекта основана работа многих фотоприемников. При внутрицентровых переходах 6 электрон не освобождается, и процесс поглощения света не приводит к изменению электропроводности. То же относится к экситонному поглощению, переходу в ДАП и поглощению свободными носителями заряда (переход 7), более характерному для металлов. Если под действием света осуществляются переходы с участием точечных дефектов (переходы 3 — 5), то закон сохранения импульса может выполняться при участии самих дефектов.
Экспериментально установлено, что уменьшение потока излучения при его поглощении в среде толщиной dl пропорционально величинам пройденного пути и потока падающего излучения B
d Ф = — a Ф dl , ( 1.2.6)
где a — коэффициент пропорциональности, получивший название показателя поглощения (не путать с коэффициентом поглощения, который представляет собой отношение потока излучения, поглощенного телом, к потоку излучения, упавшему на это тело) .
Разделяя переменные и интегрируя, получим закон Бугéра-Лáмберта
установленный экспериментально в 1729 г. П.Бугером и теоретически обоснованный в 1760 г. И.Ламбертом. При имеем Ф ( l ) = Ф B 0 B / e (Ф B 0 B — поток излучения, входящего в кристалл ), то есть показатель поглощения является величиной, обратной расстоянию , на котором поток излучения уменьшается примерно в 2,7 раза.
В качестве характеристики поглощающей способности вещества часто используют величину D = lg (Ф B 0 B /Ф), которую называют оптической плотностью среды.
В случае собственного поглощения излучения a ≅ 10 P 5 P см P – 1 P и ≅ 0,1 мкм, при примесном поглощении a ≅ 10 ¸ 100 см P – 1 P , так как концентрация примеси (обычно порядка 10 P 16 P ¸ 10 P 18 P см P – 3 P ) существенно меньше, чем концентрация атомов основного вещества.
Зависимость показателя a от длины волны (или частоты) падающего света называется спектром поглощения вещества. Обобщенная зависимость a от h n показана на рис. 1.2.3. Собственное поглощение начинается при частоте n B 0 B , на краю которого при низких температурах хорошо проявляется структура экситонного поглощения света (см. рис. 1.2.2, а переходы 1, 2). Примесное поглощение создает полосы 3 — 6 (полоса 5 может иметь более явный структурный характер), в широком диапазоне частот присутствует слабое поглощение света свободными носителями заряда – полоса 7, и, наконец, при малых энергиях квантов излучения обычно хорошо выделяется участок 8, связанный с поглощением излучения ионами кристаллической решетки (в этом случае световая энергия превращается в энергию колебаний ионов).
Заметим, что деформация кристалла, присутствие внешнего электрического поля, температура образца оказывают существенное влияние на характер спектра поглощения. В частности, у полупроводников с повышением температуры происходит расширение кристаллической решетки и усиление колебания атомов относительно положения равновесия, что сопровождается уменьшением ширины запрещенной зоны.
Примесное поглощение света может привести к определенной окраске кристаллов. Например, кристаллы рубина – темно-красные, кристаллы сапфира — голубые. Окраска этих материалов связана с наличием в кристаллах Al B 2 B 0 B 3 B соответственно примеси Cr P 3+ P и Ti P 3+ P , внутрицентровые переходы в которой и задают определенный цвет образца.
Точное воспроизведение окраски является важным элементом производства ювелирных кристаллов.
Рис.1.2.3. Типичный спектр поглощения света твердым телом
В целом, поглощение света является частным случаем более сложного процесса, который получил название экстинкция и представляет собой ослабление интенсивности излучения при его распространении в веществе за счет поглощения и рассеяния света. В этом случае коэффициент a в законе Бугера (1.2.7) называется показателем экстинкции и равен сумме показателей поглощения и рассеяния среды.
Контрольные вопросы
1. На зонной диаграмме рассмотрите основные электронные переходы при поглощении света в кристаллах.
2. Что такое экситон?
3. Введите понятие донорно-акцепторных пар.
4. Какие переходы электронов могут вызвать фотопроводимость кристаллов?
5. Запишите и поясните закон Бугера-Ламберта.
6. Что такое показатель поглощения среды?
7. Что понимают под оптической плотностью среды?
8. Нарисуйте общий спектр поглощения света твёрдым телом.
9. Что такое экстинкция света?
Какую интенсивность освещения выбрать?
Не знаете, какой интенсивности свет выбрать для гостиной, спальни или кухни? В этой статье вы найдете ответ.
Вы с первого взгляда влюбились в красивую хрустальную люстру, светильник современного дизайна или элегантную лампу и задаетесь вопросом, какую силу света выбрать? В этой статье вы найдете ответ.
Но сначала немного теории, чтобы вы понимали, о чем идет речь.
Что такое интенсивность света?
Наиболее важным критерием при выборе лампочки является ее сила света, которая указывается в люменах — единицах светового потока. Это указывает, насколько ярким будет свет. Интенсивность свечения представляет собой долю светового потока, падающего на определенную область. Он приводится в люксах.
Какова идеальная интенсивность освещения?
В нашей прошлой статье мы рассказали, какая температура и цвет света идеально подходит для каждой комнаты, чтобы вы чувствовали себя в ней комфортно. Однако соответствующая интенсивность освещения также является неотъемлемой частью максимального комфорта, поскольку при приготовлении пищи мы должны хорошо видеть под руками, в то время как в спальне мы предпочитаем более приглушенный свет.
А на прикроватной тумбочке, например, лампа, при которой можно читать, не мешая спать любимому человеку. Правильная интенсивность света зависит не только от помещения, но и от специфики деятельности.
Рекомендуемая интенсивность освещения по комнатам
- Спальня, гостиная, детская комната — 200 lx
- Кухня, ванная комната, крыльцо — 150 lx
- Прихожая — 100 лк
Рекомендуемая интенсивность по видам деятельности
- Приготовление пищи — 500 lx
- Чтение — 300 lx
- Работа на компьютере — 400 lx
Поэтому рекомендуемая интенсивность освещения может быть разной. И, например, подходящая интенсивность освещения для гостиной будет зависеть от того, хотите ли вы читать, работать или сесть с друзьями или семьей за светскую игру. Поэтому обычно недостаточно иметь только один источник света, нужно добавить к потолочному светильнику, настенный светильник или лампы — и комбинировать их интенсивность по своему усмотрению.
Как рассчитать необходимую интенсивность освещения
Просто. Вы умножаете площадь помещения и рекомендуемое значение освещенности. Это позволяет получить требуемую силу света (в люменах), которая указана на упаковке лампы. Поэтому просто следуйте этой формуле:
м² × lx = lm
Расчет идеальной силы света для спальни размером 5 × 5 метров будет выглядеть так: 25 м² × 200 лк = 5000 лм.
Однако помните, что речь всегда идет об общей интенсивности света в данном помещении, где обычно есть несколько видов деятельности, требующих разной яркости, поэтому старайтесь комбинировать несколько источников света так, чтобы сумма их световых интенсивностей была близка к этому рекомендуемому значению.
И не воспринимайте это как догму. Расчет является скорее ориентиром. Конечно, действительно идеальная интенсивность света зависит от ваших личных предпочтений, а также от других факторов, таких как угол излучения или цвет комнаты и мебели. На самом деле, в белой комнате со светлой мебелью вы можете уменьшить интенсивность примерно на 10%, в то время как в темной комнате все наоборот.
Мы здесь для вас
Нужен совет? Свяжитесь с нами. Мы будем рады помочь. И вместе мы настроим ваш дом на те тона, которые вам больше всего подходят.