Tp0610k t1 e3 sot23 3 чем заменить
TP0610K-T1 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TP0610K-T1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.46 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2 nC
Выходная емкость (Cd): 10 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 9 Ohm
Тип корпуса: SOT23
TP0610K-T1 Datasheet (PDF)
..1. Size:898K cn vbsemi
tp0610k-t1.pdf

TP0610K-T1www.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () VGS(th) (V) ID (mA)Definition TrenchFET Power MOSFET- 60 3 at VGS = — 10 V — 1 to — 3 -500 High-Side Switching Low On-Resistance: 3 Low Threshold: — 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.) Lo
7.1. Size:45K 1
tp0610k.pdf

TP0610KNew ProductVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS(min) (V) rDS(on) (W) VGS(th) (V) ID (mA)60 6 @ VGS = 10 V 1 to 3.0 185FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD High-Side Switching D Ease in Driving Switches D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,Displays, Memories, Transistors, etc.D Low On-Resistance: 6 D Low Offset (Error
7.2. Size:89K vishay
bs250kl-tr1-e3 tp0610kl bs250kl.pdf

TP0610KL/BS250KLNew ProductVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETD ESD Protected: 2000 VV(BR)DSS(min) (V) rDS(on) (W) VGS(th) (V) ID (A)APPLICATIONS6 @ VGS = -10 V -0.27-60 -1 to 3060 1 to -3.010 @ VGS = -4.5 V -0.21D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,Displays, Memories, Transistors, etc.D Battery Oper
7.3. Size:207K vishay
tp0610k.pdf

TP0610KVishay SiliconixP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () VGS(th) (V) ID (mA)Definition TrenchFET Power MOSFET- 60 6 at VGS = — 10 V — 1 to — 3 — 185 High-Side Switching Low On-Resistance: 6 Low Threshold: — 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.)TO-236
Tp0610k t1 e3 sot23 3 чем заменить
TP0610K MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TP0610K
Маркировка: 6K*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.185 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1.7 nC
Время включения (ton): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 10 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 6 Ohm
Тип корпуса: SOT23
TP0610K Datasheet (PDF)
..1. Size:45K 1
tp0610k.pdf

TP0610KNew ProductVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS(min) (V) rDS(on) (W) VGS(th) (V) ID (mA)60 6 @ VGS = 10 V 1 to 3.0 185FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD High-Side Switching D Ease in Driving Switches D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,Displays, Memories, Transistors, etc.D Low On-Resistance: 6 D Low Offset (Error
..2. Size:207K vishay
tp0610k.pdf

TP0610KVishay SiliconixP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () VGS(th) (V) ID (mA)Definition TrenchFET Power MOSFET- 60 6 at VGS = — 10 V — 1 to — 3 — 185 High-Side Switching Low On-Resistance: 6 Low Threshold: — 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.)TO-236
0.1. Size:89K vishay
bs250kl-tr1-e3 tp0610kl bs250kl.pdf

TP0610KL/BS250KLNew ProductVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETD ESD Protected: 2000 VV(BR)DSS(min) (V) rDS(on) (W) VGS(th) (V) ID (A)APPLICATIONS6 @ VGS = -10 V -0.27-60 -1 to 3060 1 to -3.010 @ VGS = -4.5 V -0.21D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,Displays, Memories, Transistors, etc.D Battery Oper
0.2. Size:898K cn vbsemi
tp0610k-t1.pdf

TP0610K-T1www.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () VGS(th) (V) ID (mA)Definition TrenchFET Power MOSFET- 60 3 at VGS = — 10 V — 1 to — 3 -500 High-Side Switching Low On-Resistance: 3 Low Threshold: — 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.) Lo
8.1. Size:70K vishay
tp0610l tp0610t vp0610l vp0610t bs250.pdf

TP0610L/T, VP0610L/T, BS250Vishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)TP0610L -60 10 @ VGS = -10 V -1 to -2.4 -0.18TP0610T -60 10 @ VGS = -10 V -1 to -2.4 -0.12VP0610L -60 10 @ VGS = -10 V -1 to -3.5 -0.18VP0610T -60 10 @ VGS = -10 V -1 to -3.5 -0.12BS250 -45 14 @ VGS = -10 V -1 to -3.5 -0.18FEATUR
8.2. Size:474K supertex
tp0610t.pdf

TP0610TP-Channel Enhancement ModeVertical DMOS FETsFeaturesGeneral Description High input impedance and high gain This low threshold enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs Low power drive requirementwell-proven silicon-gate manufacturing process. This Ease of parallelingcombination produces a device with the
TP0610K-T1-E3, Транзистор полевой P-канальный 60В 185мА

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Технические параметры
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка
Вес брутто
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Тип транзистора
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Описание TP0610K-T1-E3
The TP0610K-T1-E3 is a 60VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays, transistors and memories drivers.
• Low ON-resistance
• High-side switching
• Low threshold
• 20ns Fast switching speed
• 20pF low input capacitance
• 2000V ESD protection
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -0.185 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6 ом при-0.5а, -10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Крутизна характеристики, S | 0.08 |
| Корпус | sot23 |
| Вес, г | 0.05 |
Полные аналоги
Наименование
Производитель
TP0610K-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236
SOT-23-3 (TO-236)
Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?
Необходимо авторизоваться на сайте
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара
Адрес для заказа:
For suppliers:
Мы в соцсетях
Наши приложения
Принимаем к оплате
Информация
Покупателю
- Правила продажи товаров в интернет-магазине
- Способы доставки
- Вопросы и ответы
- Способы оплаты
- Сертификаты
- База знаний
- Популярное
- Форум
©1993–2024 ЗАО «Промэлектроника»
При использовании материалов сайта ссылка на сайт обязательна!
Политика конфиденциальности
Мы используем файлы cookie для работы сайта. Подробнее
Напишите нам
Выбор города
- Абакан
- Анадырь
- Архангельск
- Астрахань
- Барнаул
- Белгород
- Биробиджан
- Благовещенск
- Брянск
- Великий Новгород
- Владивосток
- Владикавказ
- Владимир
- Волгоград
- Вологда
- Воронеж
- Горно-Алтайск
- Грозный
- Екатеринбург
- Иваново
- Ижевск
- Иркутск
- Йошкар-Ола
- Казань
- Калининград
- Калуга
- Кемерово
- Киров
- Кострома
- Краснодар
- Красноярск
- Курган
- Курск
- Кызыл
- Липецк
- Магадан
- Магас
- Майкоп
- Махачкала
- Москва
- Мурманск
- Нальчик
- Нарьян-Мар
- Нижний Новгород
- Новосибирск
- Омск
- Орёл
- Оренбург
- Пенза
- Пермь
- Петрозаводск
- Петропавловск-Камчатский
- Псков
- Ростов-на-Дону
- Рязань
- Салехард
- Самара
- Санкт-Петербург
- Саранск
- Саратов
- Смоленск
- Ставрополь
- Сыктывкар
- Тамбов
- Тверь
- Томск
- Тула
- Тюмень
- Улан-Удэ
- Ульяновск
- Уфа
- Хабаровск
- Ханты-Мансийск
- Чебоксары
- Челябинск
- Черкесск
- Чита
- Элиста
- Южно-Сахалинск
- Якутск
- Ярославль
Tp0610k t1 e3 sot23 3 чем заменить
Корзина BYN
Каталог товаров
-
- Магазины и оптовые отделы
- Видео
- Новости
- Каталог брендов
- Каталоги автозапчастей
- Акции и спецпредложения
- Калькуляторы
- Обратная связь
- История компании
- «ЧИП и ДИП» сегодня
- Контактная информация
- Работа в «ЧИП и ДИП»
- Образцы документов
- Сервис-центр
- Как сделать заказ
- Доставка заказа
- Способы оплаты
- Состояние заказа
- Редактирование заказа
- Возврат и обмен товара
Принимаем к оплате
CHIPDIP в соцсетях
ООО «ЧИП и ДИП»
Республика Беларусь , 220004, г. Минск, ул. Димитрова, дом 5, торговое помещение №10, офис 41
Свидетельство о регистрации №192781371 выдано 28.02.2017 года Минским городским исполнительным комитетом
УНП 192781371
Регистрация в Торговом реестре Интернет-магазина сhipdip.by №431036 от 05.11.2018
Способы оплаты: банковский перевод, карты Visa, MasterCard, Белкарт, наличными при самовывозеТелефон: +375 17 311-07-17
Электронная почта: sales@chipdip.by
Время работы пункта выдачи заказов: Пн-Пт 10:00–18:00
Время работы торгового зала: Пн-Пт 9:00–20:00, Сб-Вс 10:00–18:00
Доставка осуществляется: Пн–Пт 10:00–20:00© 2017—2024, ООО «ЧИП и ДИП» —
приборы, радиодетали и электронные компоненты