4.2. Характеристики биполярного транзистора
Транзистор как нелинейный элемент описывается вольтамперными характеристиками. Характеристики транзистора зависят от схемы включения. Так как схема включения транзистора с общим эмиттером встречается наиболее часто, то и рассмотрим характеристики n-p-nтранзистора для этой схемы включения. Дляp-n-pтранзистора знаки напряжений и токов следует изменить на противоположные. Различают три характеристики транзистора:
- входная, зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер Iб(Uбэ) (Рис.4.3);
- передаточная, зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер Iк(Uбэ) (Рис.4.4);
- семейство выходных характеристик, зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном значении тока баз Iк(Uкэ) (Рис.4.5).
На рисунках показаны характеристики кремниевого транзистора. Из характеристик транзистора видно: 1) Заметный ток базы и коллектора транзистора протекает, когда напряжение база-эмиттер достигает величины примерно 0,6 В. 2) Малое изменение напряжения Uбэотносительно напряжения 0,6 В вызывает относительно большое изменение токов базы и коллектора. 3) Коллекторный ток мало изменяется после достижения Uкэопределенного значения. Напряжение, при котором характеристика имеет изгиб, называется напряжением насыщения. Передаточная характеристика транзистора имеет вид экспоненциальной функции 
, (4.1) где Iкот– теоретический обратный ток коллектора транзистора. Часто транзистор можно рассматривать как линейный усилитель. Это справедливо в рабочей точке, в окрестности которой осуществляется управление малым сигналом. Рабочая точка транзистора определяется постоянными значениями напряжений база-эмиттер UбэА, коллектор-эмиттерUкэА, тока коллектораIкА. При малых изменениях напряжений нелинейные характеристики транзисторов можно заменить касательной в рабочей точке. Изменение тангенса угла наклона касательной означает изменения дифференциального параметра (параметра малого сигнала) транзистора. Напомним, что дифференциальные параметры определяют зависимости между изменениями токов и напряжений транзистора. Для описания входной цепи транзистора как нагрузки, соединенной с входным источником напряжения, вводят дифференциальное входное сопротивление 
. (4.2) Изменение коллекторного тока от Iкв зависимости отUбэхарактеризуется крутизнойS: 
. Эту величину можно определить из формулы, продифференцировав (4.1) по Uбэ: 
. Зависимость коллекторного тока от напряжения Uкэхарактеризуется выходным сопротивлением 
. Сопротивление rкэможет быть рассчитано по формуле 
, где UЭ– напряжение Эрли, величина которого зависит от типа транзистора и дляn-p-nтранзистора равно 30 – 150 В, дляp-n-pтранзистора – 30 – 75 В. Для расчетов схем сn-p-nтранзисторамиUЭ = 100 В. Коллекторный ток пропорционален току базы. Отношение тока коллектора к току базы В =Iк/Iбназывается статическим или интегральным коэффициентом усиления транзистора. Для многих практических случаев его можно считать постоянным. Однако в действительности его величина зависит от тока коллектора (рис.4.6). 
Для характеристики изменения тока коллектора от изменения тока базы в рабочей точке транзистора вводят дифференциальный коэффициент усиления по току, который определяется из выражения 
. Во многих практических случаях статический и динамический коэффициенты усиления по току транзистора можно считать равными. Выражая ток базы через ток коллектора в формуле (4.2) определения сопротивленияrбэ получим формулы для расчета входного сопротивления 
.
Характеристики биполярных транзисторов
В самом конце предыдущей части статьи было сделано «открытие». Смысл его в том, что небольшой ток базы управляет большим током коллектора. Как раз в этом и заключается основное свойство транзистора, его способность к усилению электрических сигналов. Для того, чтобы продолжить дальнейшее повествование, следует разобраться, насколько велика разница этих токов, и как происходит это управление.
Чтобы лучше вспомнить, о чем идет речь, на рисунке 1 показан n-p-n транзистор с подключенными к нему источниками питания базовой и коллекторной цепей. Этот рисунок уже был показан в предыдущей части статьи.
Небольшое замечание: все, что рассказывается о транзисторе структуры n-p-n вполне справедливо и для транзистора p-n-p. Только в этом случае полярность источников питания следует заменить на обратную. А в самом описании «электроны» заменить на «дырки», везде, где они встречаются. Но в настоящее время транзисторы структуры n-p-n более современны, более востребованы, поэтому в основном рассказывается именно о них.
Маломощный транзистор. Напряжения и токи
Напряжение, прикладываемое к эмиттерному переходу (так принято называть переход база — эмиттер), для маломощных транзисторов невелико, не более 0,2…0,7В, что позволяет создать в цепи базы ток в несколько десятков микроампер. Зависимость тока базы от напряжения база – эмиттер называется входной характеристикой транзистора, которая снимается при фиксированном напряжении коллектора.
К коллекторному переходу маломощного транзистора прикладывается напряжение порядка 5…10В (это для наших исследований), хотя может быть и больше. При таких напряжениях коллекторный ток может быть от 0,5 до нескольких десятков миллиампер. Ну, просто в рамках статьи ограничимся такими величинами, поскольку считается, что транзистор у нас маломощный.
Характеристики передачи
Как уже было сказано чуть выше, маленький ток базы управляет большим током коллектора, как показано на рисунке 2. Следует обратить внимание на то, что ток базы на графике указан в микроамперах, а ток коллектора в миллиамперах.
Если внимательно проследить за поведением кривой, то можно заметить, что для всех точек графика соотношение коллекторного тока к току базы одинаково. Для этого достаточно обратить внимание на точки А и Б, у которых соотношение коллекторного тока к базовому ровно 50. Это как раз и будет УСИЛЕНИЕ ПО ТОКУ, обозначается символом h21э – коэффициент усиления по току.
Зная это соотношение, нетрудно вычислить коллекторный ток Iк = Iб * h21э
Только ни в коем случае не следует думать, что коэффициент усиления у всех транзисторов ровно 50, как на рисунке 2. На самом деле он, в зависимости от типа транзистора, находится в пределах от единиц до нескольких сотен и даже тысяч!
Если требуется узнать коэффициент усиления для конкретного транзистора, который лежит у Вас на столе, то сделать это достаточно просто: современные мультиметры, как правило, имеют режим измерения h21э. Далее будет рассказано, как определить коэффициент усиления, пользуясь обычным амперметром.
Зависимость тока коллектора от тока базы (рисунок 2) называется передаточной характеристикой транзистора. На рисунке 3 показано семейство передаточных характеристик транзистора, при включении его по схеме с ОЭ. Характеристики снимаются при фиксированном напряжении коллектор – эмиттер.
Рисунок 3. Семейство передаточных характеристик транзистора, при включении его по схеме с ОЭ
Если посмотреть на это семейство повнимательней, то можно сделать несколько выводов. Во-первых, передаточная характеристика нелинейна, представляет собой кривую (хотя в середине кривой имеется линейный участок). Именно эта кривая и приводит к нелинейным искажениям, если транзистор используется для усиления сигнала, например, звукового. Поэтому приходится рабочую точку транзистора «смещать» на линейный участок характеристики.
Во вторых характеристики, снятые при разных напряжениях Uкэ1 и Uкэ2 эквидистантны (равноудалены друг от друга). Это позволяет сделать вывод, что коэффициент усиления транзистора (определяется углом наклона кривой к оси координат) не зависит от напряжения коллектор – эмиттер.
В третьих характеристики начинаются не с начала координат. Это говорит о том, что даже при нулевом токе базы какой-то ток через коллектор протекает. Это как раз и есть начальный ток, о котором было рассказано в предыдущей части статьи. Начальный ток у обеих кривых различный, что говорит о том, что он зависит от напряжения на коллекторе.
Как снять передаточную характеристику
Проще всего эту характеристику снять, если включить транзистор по схеме, показанной на рисунке 4.
Вращением ручки потенциометра R можно изменять совсем маленький ток базы Iб, что приведет и пропорциональному изменению большого тока коллектора Iк. Такой «творческий» процесс, как вращение ручки потенциометра невольно наводит на мысль: «А нельзя ли как-нибудь этот процесс кручения ручки автоматизировать?» Оказывается можно.
Для этого достаточно вместо потенциометра последовательно с батарей Eб-э подключить источник переменного напряжения, например угольный микрофон, колебательный контур антенны или детектор приемника. Тогда это переменное напряжение и будет управлять коллекторным током транзистора, как показано на рисунке 5.
В данной схеме батарея Eб-э выполняет роль источника смещения рабочей точки транзистора, а усиливаться будет сигнал переменного напряжения. Если подать переменный сигнал, например синусоиду, без смещения, то положительные полупериоды будут открывать транзистор, и, возможно, даже усиливаться.
Но отрицательные полупериоды транзистор попросту закрывают, поэтому не только не усилятся, но даже и не пройдут через транзистор. Это примерно так, как если бы громкоговоритель подключить через диод: вместо приятной музыки и голосов удастся услышать непонятный хрип.
Но достаточно часто усиливают постоянный ток, при этом транзистор работает в ключевом режиме, наподобие реле. Такое применение наиболее часто встречается в работе цифровых схем. В следующей статье именно с ключевого режима, как наиболее простого и понятного мы и начнем рассмотрение различных режимов работы транзистора.
Схемы включения транзисторов
Рисунок 6. Схемы включения транзисторов
До сих пор на всех рисунках транзистор представал перед нами как три квадратика с буквами n и p. На рисунке 6а транзистор показан как на реальной электрической схеме. Тут же показана полярность подключения напряжения, наименования электродов, базовые и эмиттерные токи. А на рисунке 6б в виде конструкции из двух диодов, что часто используется при проверке транзистора мультиметром.
- Устройство и работа биполярного транзистора
- Характеристики диодов, конструкции и особенности применения
- Как устроены и работают полупроводниковые диоды
Надеюсь, что эта статья была для вас полезной. Смотрите также другие статьи в категории Электрическая энергия в быту и на производстве » В помощь начинающим электрикам
Подписывайтесь на наш канал в Telegram: Домашняя электрика
Поделитесь этой статьей с друзьями:
Характеристики биполярного транзистора
Транзистор как нелинейный элемент описывается вольтамперными характеристиками. Характеристики транзистора зависят от схемы включения. Так как схема включения транзистора с общим эмиттером встречается наиболее часто, то и рассмотрим характеристики n-p-n транзистора для этой схемы включения. Для p-n-p транзистора знаки напряжений и токов следует изменить на противоположные. Различают три характеристики транзистора:
— входная, зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер Iб(Uбэ) (Рис.4.3);
— передаточная, зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер Iк(Uбэ) (Рис.4.4);
— семейство выходных характеристик, зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном значении тока баз Iк(Uкэ) (Рис.4.5).
На рисунках показаны характеристики кремниевого транзистора.
Из характеристик транзистора видно:
1) Заметный ток базы и коллектора транзистора протекает, когда напряжение база-эмиттер достигает величины примерно 0,6 В.
2) Малое изменение напряжения Uбэ относительно напряжения 0,6 В вызывает относительно большое изменение токов базы и коллектора.
3) Коллекторный ток мало изменяется после достижения Uкэ определенного значения. Напряжение, при котором характеристика имеет изгиб, называется напряжением насыщения.
Передаточная характеристика транзистора имеет вид экспоненциальной функции
где Iкот – теоретический обратный ток коллектора транзистора.
Часто транзистор можно рассматривать как линейный усилитель. Это справедливо в рабочей точке, в окрестности которой осуществляется управление малым сигналом. Рабочая точка транзистора определяется постоянными значениями напряжений база-эмиттер UбэА, коллектор-эмиттер UкэА, тока коллектора IкА. При малых изменениях напряжений нелинейные характеристики транзисторов можно заменить касательной в рабочей точке. Изменение тангенса угла наклона касательной означает изменения дифференциального параметра (параметра малого сигнала) транзистора. Напомним, что дифференциальные параметры определяют зависимости между изменениями токов и напряжений транзистора.
Для описания входной цепи транзистора как нагрузки, соединенной с входным источником напряжения, вводят дифференциальное входное сопротивление
Изменение коллекторного тока от Iк в зависимости от Uбэ характеризуется крутизной S:
Эту величину можно определить из формулы, продифференцировав (4.1) по Uбэ:
Зависимость коллекторного тока от напряжения Uкэ характеризуется выходным сопротивлением
Сопротивление rкэ может быть рассчитано по формуле
где UЭ – напряжение Эрли, величина которого зависит от типа транзистора и для n-p-n транзистора равно 30 – 150 В, для p-n-p транзистора – 30 – 75 В. Для расчетов схем с n-p-n транзисторами UЭ = 100 В.
Коллекторный ток пропорционален току базы. Отношение тока коллектора к току базы В = Iк / Iб называется статическим или интегральным коэффициентом усиления транзистора. Для многих практических случаев его можно считать постоянным. Однако в действительности его величина зависит от тока коллектора (рис.4.6).
Для характеристики изменения тока коллектора от изменения тока базы в рабочей точке транзистора вводят дифференциальный коэффициент усиления по току, который определяется из выражения
Во многих практических случаях статический и динамический коэффициенты усиления по току транзистора можно считать равными.
Выражая ток базы через ток коллектора в формуле (4.2) определения сопротивления rбэ получим формулы для расчета входного сопротивления
Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:
Что называется передаточной характеристикой биполярного транзистора
Для схемы с ОЭ входное сопротивление единицы составляет единицы кОм, а выходная проводимость — 10 — 4 -10 -5
Входная и выходная характеристики транзистора с ОЭ несколько отличаются от характеристик транзистора с ОБ (см. рис.1.6).
Входной характеристикой транзистора, включенного по схеме с ОЭ, является зависимость напряжения U бэ от входного тока I б , U бэ = ¦ 1 (I б ) при заданном напряжении U кэ . Совокупность таких зависимостей называется семейством входных характеристик транзистора (рис.6 б). При U кэ =0 тепловой ток I к0 в цепи коллектора отсутствует и зависимость U бэ = ¦ 1 (I б ) соответствует ВАХ эмиттерного р- n –перехода , включенного в прямом направлении . При U кэ > 0 в цепи коллектора появляется ток-I к0 , направленный навстречу току I б . Для компенсации этого тока в цепи базы нужно создать ток I б = I к0 , приложив соответствующее напряжение U бэ . Это приводит к смещению входной характеристики вправо вниз.
Выходной характеристикой транзистора по схеме с ОЭ считывается зависимость I к = ¦ 2 (U кэ ) при заданном токе I б ( рис.1.6в). Если U бэ =0, в цепи коллектора протекает только тепловой ток, так как в этом случае инжекция дырок из эмиттера в базу (для p-n-p-транзистора I к0 = — I б ) или инжекция электронов из эмиттера в базу (для n-p-n–транзистора) отсутствует. При U кэ =0 ток в цепи коллектора не проходит, это объясняется тем, что напряжение U бэ и U кэ направлены встречно друг другу, т.е. потенциал коллектора выше потенциала базы и коллекторный переход оказывается при этом закрыт. Поэтому выходные характеристики не пересекают ось ординат.
На рис.1.7 приведена принципиальная схема стенда для снятия вольт-амперных характеристик транзистора, включенного с ОЭ. Входная цепь (цепь базы) питается от регулируемого источника тока I положительной полярности, которой поддерживает заданной ток базы. Величина тока базы I б измеряется миллиамперметром РА1. Напряжение между эмиттером и базой U бэ измеряется внешним вольтметром. Напряжение на коллекторе устанавливается от регулируемого источника напряжения Е к . Напряжение коллектора U кэ измеряется с помощью внешнего вольтметра. Для измерения коллекторного тока I к служит миллиамперметр РА2.
При работе транзистора с коллекторной нагрузкой R к связь между коллекторным током I к и напряжением на коллекторе U к выражается уравнением нагрузочной характеристики:
I к =(Е к — U к )/R к
Нагрузочная характеристика представляет прямую на семействе коллекторных характеристик транзистора (см. рис.7.в), пересекающуюся с осями координат Е к / R к и Е к соответственно.
Экспериментально нагрузочную характеристику можно снять посредством регулировки тока базы I б .
1.2. Методика графического определения H–параметров транзистора
Располагая вольт–амперными характеристиками транзистора, можно графическим путем определить низкочастотные значения h-параметров. Для определения h-параметры необходимо задать рабочую точку, например А (I бА , U кэА ), в которой требуется найти параметры.
Параметры h 11э и h 12э находят по входной характеристики U бэ = ¦ 1 (I б )| Uкэ=const .
Определим h 11э для заданной рабочей точки А (I бА , U кэА ). На входной характеристике находим точку А, соответствующую заданной рабочей точке (рис.1.8). Выбираем вблизи рабочей точки А две вспомогательные точки А 1 и А 2 (приблизительно на одинаковом расстоянии), определим по ними D U бэ и D I б и рассчитаем входное дифференциальное сопротивление, по формуле:
h 11э =( D U бэ / D I б )| Uкэ=const .
Приращения D U бэ и D I б выбирают так, чтобы не выходить за пределы линейного участка, их можно примерно принять за (10-20)% от значений рабочей точки.
Графическое определение параметра h 12э = D U бэ / D U кэ затруднено, так как семейство входных характеристик при различных D U кэ > 0 практически сливается в одну (рис.1.8.).
Параметры h 22э и h 21э определяются из семейства выходных характеристик транзистора I к = ¦ 1 (U кэ ) (рис.1.9).
Параметр h 21э = ( D I к / D I б ) | Uкэ=const находится в заданной рабочей точке А (I бА , U кэА ). Для нахождения приращений выбирают две вспомогательные точки А 1 и А 2 вблизи рабочей точки А при постоянном U кэ =U кэ0 . Приращение тока базы D I б следует брать, как D I б =I б2 – I б1 , где I б2 и I б1 определены как токи базы в точках А 2 и А 1 . Этому приращению D I б соответствует приращение коллекторного тока D I к = I к2 – I к1 , где I к2 и I к1 .определены в точках точках А 2 и А 1 . Тогда дифференциальный коэффициент передачи тока базы рассчитаем по формуле h 21э = ( D I к / D I б ) )| Uкэ=const .
Параметр h 22э =( D I к / D U кэ ) ½ Iб=const определяется по наклону выходной характеристики (рис.1.9) в заданной рабочей точке А (I бА , U кэА ), при постоянном токе базы I б . Для нахождения приращений выбирают две вспомогательные точки точки А * 1 и А * 2 . Для этих точек определяют D U * кэ | Iб = IбА =U к2 – U к1 – приращение коллекторного напряжения, и приращение коллекторного тока D I * к = I * к2 – I * к1 . При этом из семейства выходных характеристик следует выбирать ту характеристику, которая снята при выбранном значение тока базы I б =I бА .
Если рабочая точка не совпадает ни с одной траекторией приведенной на графике, то такую траекторию надо провести самостоятельно, между и по аналогии с соседними значения тока базы которых известно, и присвоить ей свое значение тока базы равное I бА .
2. Задания на теоретические расчеты
2.1. Ознакомиться со схемами включения биполярного транзистора, с методикой исследования и снятия статических вольт-амперных характеристик с ОБ и ОЭ; с методикой графического определения h–параметров транзистора.
2.2. Рассчитать по формуле (15) и построить нагрузочную характеристику I к = ¦ 3 (U кэ ) биполярного транзистора для следующих исходных данных R к =1кОм, 3кОм; Е к =10B ;
3. Задания на экспериментальное исследование и порядок их выполнения
Задание 1. Исследование статических вольтамперных характеристик (ВАХ) транзистора, включенного по схеме с ОБ (с помощью амперметра-вольметра) .
1.1. Снять входную ВАХ – I э =F(U эб )| Uкб=const . Для этого собрать схему (рис.3.1). Все измерительные приборы поставить в режим измерения постоянного тока (режим DC).
1.2. Изменяя ток эмиттера и регистрируя его величину амперметром А1 измерять напряжение U эб . Данные занести в табл.1.
При построение входных ВАХ биполярного транзистора входным сигналом берут ток (I э , I б ) т.к. биполярный транзистор – прибор управляемый током.
По результатам измерений построить графики.
1.2. Собрать схему (рис.3.1) и снять выходную ВАХ – I к =F(U кб )| Iэ=const . Данные занести в табл.2.
По результатам измерений построить графики семейства выходных ВАХ.
Задание 2. Исследование статических вольтамперных характеристик (ВАХ) транзистора, включенного по схеме с ОЭ (с помощью амперметра-вольметра).
2.1. Снять входную ВАХ –I б =F(U бэ )| Uкэ=const . Собрать схему (рис.3.2). Данные занести в таблицу аналогичную табл.1. Измерения проводить при Iб=0; 0.01; 0.05; 0.1мА, при Uкэ=0 и +15В.
По результатам измерений построить графики.
2.2 Снять семейство выходных ВАХ – I к =F(U кэ )| Iб=const . Данные занести в таблицу аналогичную табл.2.
По результатам измерений построить графики семейства выходных ВАХ.
Задание 3. Исследование статических вольтамперных характеристик (ВАХ) транзистора, включенного по схеме с ОБ (с помощью осциллографа).
3.1. Снять входную ВАХ – I э =F(U эб )| Uкб=const I б =F(U бэ )| Uкэ=const . Собрать схему (рис.3.3). Осциллограф поставить в режим В/А. Получить на экране изображение ВАХ, удобное для снятия показаний. Данные занести в таблицу аналогичную табл.1 или просто убедиться в их соответствии.
3.2. Снять семейство выходных ВАХ – I к =F(U кб )| Iэ=const . Собрать схему (рис.3.4).
Получить на экране изображение ВАХ, удобное для снятия показаний. Данные занести в таблицу аналогичную табл.2 или просто убедиться в их соответствие.
Задание 4. Исследование статических вольтамперных характеристик (ВАХ) транзистора, включенного по схеме с Оэ (с помощью осциллографа) .
4.1. Снять входную ВАХ – I б =F(U бэ )| Uкэ=const . Собрать схему (рис.3.5). Получить на экране изображение ВАХ, удобное для снятия показаний. Данные занести в таблицу аналогичную табл.2 или просто убедиться в их соответствие.
4.2. Снять семейство выходных ВАХ – I к =F(U кэ )| Iб=const . Собрать схему 3.6. Получить на экране изображение ВАХ, удобное для снятия показаний. Данные занести в таблицу аналогичную табл.2 или просто убедиться в их соответствие.
Задание 5 Исследование частотных характеристик передаточных параметров транзистора a ( j w ), b ( j w )
5.1. Измерение зависимости от частоты модуля коэффициента передачи транзистора включенного по схеме с ОБ a ( w )= I m к /I m э | Iэо=const , .
Рис.3.7.
5.1.1. Схема, для измерения коэффициента передачи тока транзистора включенного по схеме с ОБ на высокой с помощью амперметров приведена на рис.3.7. Все амперметры поставить в режим измерения переменного тока (режим АС)
Для измерения зависимости от частоты модуля коэффициента передачи транзистора включенного по схеме с ОБ a ( w )= I m к /I m э | I эо= const , составить соответствующую таблицу и по ней нарисовать график зависимости a ( w ). Определить f a — граничную частоту транзистора включенного по схеме с ОБ.
5.1.2. Схема, для измерения коэффициента передачи тока транзистора, включенного по схеме с ОБ, на высокой с помощью измерителя диаграмм Боде, приведена на рис.3.8. Измеритель поставить в режим измерения АЧХ. Подобрать пределы измерений по вертикальной и горизонтальной осям так, чтобы, получить на экране измерителя изображение АЧХ, удобное для снятия показаний. Измерить α 0 и f α . Результаты измерений записать в отчет.
5.2. Измерение фазово-частотной характеристики коэффициента передачи транзистора включенного по схеме с ОБ j a ( w ) =( j Im к — j Im э ) . Измеритель Боде поставить в режим измерения ФЧХ. Подобрать пределы измерений по вертикальной и горизонтальной осям так, чтобы, получить на экране измерителя изображение ФЧХ, удобное для снятия показаний.
Объяснить, что происходит с фазой гармонического сигнала при прохождении его через транзистор. Измерить запаздывание по фазе на частоте f a .
5.3. Измерение зависимости от частоты модуля коэффициента передачи транзистора включенного по схеме с ОЭ b ( w )=I m к /I m б | I эо= const , .с помощью измерителя диаграмм Бодэ.
Собрать схему (рис.3.9). Измеритель поставить в режим измерения АЧХ. Подобрать пределы измерений по вертикальной и горизонтальной осям так, чтобы, получить на экране изображение АЧХ, удобное для снятия показаний.
5.4. Измерение фазово-частотной характеристики коэффициента передачи транзистора включенного по схеме с ОЭ j b ( w ) a ( w )=I к m /I э m | I эо= const , . Схема измерения приведена на рис.3.9. Измеритель поставить в режим измерения ФЧХ. Подобрать пределы измерений по вертикальной и горизонтальной осям так, чтобы, получить на экране измерителя изображение ФЧХ, удобное для снятия показаний. Измерить β 0 и f β . Результаты измерений записать в отчет.
Объяснить, что происходит с фазой гармонического сигнала при прохождении его через транзистор. Определить запаздывание по фазе на частоте f b . На рис.3.10 приведены АЧХ и ФЧХ .
Задание 6. Исследовать зависимости усилительных и частотных свойств транзистора включенного по схеме с ОБ от тока эмиттера — a = F ( I эо ) , f a = F ( I эо ) .
Собрать схему (рис.3.11). Добиться удобного изображения АЧХ. Величину a и f a = измерять с помощью измерителя АЧХ. Величину a можно измерить с помощью вольтметра.
Результаты измерений занести в табл. 3.