Tip3055 транзистор какая у него емкость

Tip3055 транзистор какая у него емкость

Биполярный транзистор TIP3055 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: TIP3055
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO218

TIP3055 Datasheet (PDF)

..1. Size:87K st
tip2955 tip3055.pdf

TIP2955TIP3055Complementary power transistorsFeatures Low collector-emitter saturation voltage Complementary NPN — PNP transistorsApplications General purpose Audio Amplifier321DescriptionTO-247The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications.Figure 1. Internal sche

..2. Size:237K onsemi
tip3055 tip2955.pdf

TIP3055 (NPN),TIP2955 (PNP)Complementary SiliconPower TransistorsDesigned for general-purpose switching and amplifier applications.http://onsemi.comFeatures DC Current Gain — 15 AMPEREhFE = 20 — 70 @ IC POWER TRANSISTORS= 4.0 AdcCOMPLEMENTARY SILICON Collector-Emitter Saturation Voltage — 60 VOLTS, 90 WATTSVCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc Excell

..3. Size:82K bourns
tip3055.pdf

TIP3055NPN SILICON POWER TRANSISTOR Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGETIP2955 Series (TOP VIEW) 90 W at 25C Case TemperatureB1 15 A Continuous Collector CurrentC 2 Customer-Specified Selections Available3EPin 2 is in electrical contact with the mounting base.MDTRAAAabsolute maximum ratings at 25C case temperature (unless otherwis

..4. Size:107K mospec
tip2955 tip3055.pdf

..5. Size:1156K jsmsemi
tip3055.pdf

TIP3055Silicon NPN Power TransistorsDESCRIPTION With TO-247 package Complement to type TIP2955 90 W at 25C case temperature 15 A continuous collector current APPLICATIONS Designed for generalpurpose switching and amplifier applications. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-247) and symbol

..6. Size:192K inchange semiconductor
tip3055.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor TIP3055DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-: h =20-70@I = 4AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.1 V(Max)@ I = 4ACE(sat CComplement to Type TIP2955Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose

0.1. Size:104K motorola
tip3055r.pdf

Order this documentMOTOROLAby TIP3055/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNTIP3055Complementary Silicon PowerPNPTIP2955Transistors. . . designed for general purpose switching and ampli

0.2. Size:290K cdil
tip2955f tip3055f.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPOWER TRANSISTORS TIP2955F PNPTIP3055F NPNTO- 3P Fully IsolatedPlastic PackageBCEDesigned for General Purpose Switching and Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector-Emitter Voltage VCEO 60 VCollector-Emitter Voltage VCER 70 VCollector-

0.3. Size:214K inchange semiconductor
tip3055t.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor TIP3055TDESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-: h =20-70@I = 4AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.8V(Max)@ I = 4ACE(sat CComplement to Type TIP2955TMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose switching and amplifier

TIP3055, Биполярный транзистор, NPN, 70 В, 15 А, 90 Вт

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Тип упаковки
Нормоупаковка
Вес брутто
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Тип монтажа

Описание TIP3055

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	2.5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	90
Корпус	to-247
Вес, г	7.5

Полные аналоги
Наименование
Производитель
TIP3055G TRANS NPN 60V 15A TO247
Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Необходимо авторизоваться на сайте

Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.

Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)

Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.

Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара
Адрес для заказа:
For suppliers:
Мы в соцсетях
Наши приложения
Принимаем к оплате
Информация
Покупателю

• Правила продажи товаров в интернет-магазине
• Способы доставки
• Вопросы и ответы
• Способы оплаты
• Сертификаты
• База знаний
• Популярное
• Форум

©1993–2024 ЗАО «Промэлектроника»

При использовании материалов сайта ссылка на сайт обязательна!
Политика конфиденциальности

Мы используем файлы cookie для работы сайта. Подробнее

Напишите нам
Выбор города

• Абакан
• Анадырь
• Архангельск
• Астрахань
• Барнаул
• Белгород
• Биробиджан
• Благовещенск
• Брянск
• Великий Новгород
• Владивосток
• Владикавказ
• Владимир
• Волгоград
• Вологда
• Воронеж
• Горно-Алтайск
• Грозный
• Екатеринбург
• Иваново
• Ижевск
• Иркутск
• Йошкар-Ола
• Казань
• Калининград
• Калуга
• Кемерово

• Киров
• Кострома
• Краснодар
• Красноярск
• Курган
• Курск
• Кызыл
• Липецк
• Магадан
• Магас
• Майкоп
• Махачкала
• Москва
• Мурманск
• Нальчик
• Нарьян-Мар
• Нижний Новгород
• Новосибирск
• Омск
• Орёл
• Оренбург
• Пенза
• Пермь
• Петрозаводск
• Петропавловск-Камчатский
• Псков
• Ростов-на-Дону

• Рязань
• Салехард
• Самара
• Санкт-Петербург
• Саранск
• Саратов
• Смоленск
• Ставрополь
• Сыктывкар
• Тамбов
• Тверь
• Томск
• Тула
• Тюмень
• Улан-Удэ
• Ульяновск
• Уфа
• Хабаровск
• Ханты-Мансийск
• Чебоксары
• Челябинск
• Черкесск
• Чита
• Элиста
• Южно-Сахалинск
• Якутск
• Ярославль

Транзистор TIP3055, NPN 60В 15А TO-247

Повернення можливе протягом 14 днів після отримання (для товарів належної якості). Зворотня доставка товарів здійснюється за домовленістю. Отсчет времени для возврата или обмена товара начинается с момента получения заказа. Все вопросы связанные с товаром принимаются вписьменном виде через e-mail, чат prom.ua, сообщения prom.ua, Viber (+380955124955). Возврат товара через УкрПочту. Все другие варианты рассматриваются отдельно. Возврат денег осуществляется на карту.

День	Години роботи	Перерва
Понеділок	09:00 — 18:00
Вівторок	09:00 — 18:00
Середа	09:00 — 17:00
Четвер	09:00 — 18:00
Пʼятниця	09:00 — 17:00
Субота	10:00 — 14:00
Неділя	Вихідний

Силовой транзистор 2N3055: 2N3055 в сравнении с TIP3055, распиновка и таблица данных

Сегодня мы познакомим вас с популярным двойным операционным усилителем 2N3055, вы узнаете его распиновку, особенности, применение, принципиальную схему, его различия с TIP3055 и многое другое.

Каталог

Распиновка и конфигурация 2N3055

2N3055 Функциональные эквиваленты

Как использовать 2N3055

2N3055 против TIP3055

Техническое описание в формате PDF

Детали с похожими характеристиками

2N3055 Описание

2N3055 — силовой NPN- транзистор общего назначения , изготовленный с использованием базового эпитаксиального процесса, смонтированный в герметичном металлическом корпусе и предназначенный для коммутации и усилителей общего назначения.

2N3055 предпочтительнее, если вам нужно простое коммутационное устройство для нагрузок средней мощности. 2N3055 — один из самых дешевых базовых транзисторов на рынке, характеристики которого подходят для многих применений.

2N3055 также используется в усилителях мощности звука. Устройство имеет хороший коэффициент усиления, а коэффициент усиления практически линейный, что делает 2N3055 одним из лучших решений для усилителей мощности.

Распиновка и конфигурация 2N3055

Как и любой другой транзистор, 2N3055 имеет три контакта, а именно ЭМИТТЕР, БАЗА и КОЛЛЕКТОР. Конфигурация контактов 2N3055 приведена ниже.

Обычно используется в качестве триггера для включения транзистора.

Обычно подключен к ЗЕМЛЕ

Обычно подключен к НАГРУЗКЕ

Особенности 2N3055

Транзистор средней мощности

Превосходная безопасная рабочая зона

Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Доступны пакеты без Pb.

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) до 70

Благодаря улучшенной линейности hfe

Максимальное напряжение на коллекторе и эмиттере: 60 В постоянного тока.

Максимально допустимый ток через коллектор: 15 А постоянного тока.

Максимальное напряжение между базой и эмиттером: 7 В постоянного тока.

Максимальный ток, допустимый через базу: 7 А постоянного тока.

Максимальное напряжение на коллекторе и базе: 100 В постоянного тока.

Диапазон рабочих температур: от -65°C до +200°C.

Общая рассеиваемая мощность: 115 Вт

2N3055 Приложения

Схемы переключения мощности

Импульсный источник питания

2N3055 Функциональные эквиваленты

Технические характеристики

Технические характеристики, атрибуты, параметры и детали STMicroelectronics 2N3055, аналогичные характеристикам STMicroelectronics 2N3055.

Крепление на шасси, сквозное отверстие

Крепление на шасси

Материал транзисторного элемента

Уровень чувствительности к влаге (MSL)

1 (без ограничений)

Напряжение — номинальный постоянный ток

Максимальная рассеиваемая мощность

Базовый номер детали

Продукт увеличения пропускной способности

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)

Макс. ток коллектора

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce

Ток-отсечка коллектора (макс.)

Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic

3 В при 3,3 А, 10 А

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение пробоя

Базовое напряжение коллектора (VCBO)

Базовое напряжение эмиттера (VEBO)

Как использовать 2N3055

Как уже упоминалось, 2N3055 можно использовать для любого NPN- транзистора , но чтобы понять, как работает устройство, давайте рассмотрим простую схему приложения, показанную ниже.

Здесь мы используем 2N3055 в качестве простого переключающего устройства для управления двигателем в конфигурации с общим эмиттером. Как показано на схеме, мы используем двигатель в качестве нагрузки, а сигнал затвора для включения транзистора обеспечивается источником 5 В с кнопкой в качестве триггерного устройства.

Для работы схемы источник запуска и источник тока должны иметь общее заземление. 100 резисторов используются для ограничения тока через базу. В начальных условиях кнопка открыта и ток через базу транзистора не течет.

При отсутствии тока базы транзистор действует как разомкнутая цепь и все напряжение питания V1 появляется на нем. При нажатии кнопки в определенный момент напряжение V2 образует замкнутый контур с базой-эмиттером транзистора, как видно на принципиальной схеме. В этом замкнутом контуре ток течет через базу транзистора, и вместе с током базы транзистор открывается.

Когда транзистор во включенном состоянии действует как короткое замыкание, через двигатель протекает коллекторный ток, заставляя его вращаться. Этот двигатель будет продолжать вращаться до тех пор, пока не появится базовый ток. Через определенное время, когда кнопка будет отпущена, ток базы станет равным нулю и транзистор отключится. Когда транзистор в режиме ВЫКЛ переходит в высокоомное состояние, ток коллектора также становится нулевым, что приводит к остановке двигателя.

Способ управления силовым двигателем с помощью простой кнопки реализует использование 2N3055 в качестве переключающего устройства, и таким же образом мы можем использовать 2N3055 в других транзисторных схемах.

2N3055 Производитель

STMicroelectronics — глобальная независимая полупроводниковая компания , лидер в разработке и поставке полупроводниковых решений для всего спектра приложений микроэлектроники. Непревзойденное сочетание опыта в области полупроводников и систем, производственных мощностей, портфолио интеллектуальной собственности (IP) и стратегических партнеров ставит компанию в авангарде технологии «система-на-кристалле» (SoC), а ее продукты играют ключевую роль в обеспечении сегодняшней конвергенции. тенденции.

Пакет 2N3055

2N3055 против TIP3055

Электрические свойства транзисторов TIP3055 и 2N3055 одинаковы, однако металл 2N3055 имеет несколько большую способность рассеивать тепло из-за своей упаковки. Это значит, что металлический тип отображается и для сборки, где транзистор работает на пределе своих возможностей. Также обратите внимание, что 2N3055 поставляется в легких алюминиевых и тяжелых металлических корпусах. Лучше использовать тяжелые конверты, поскольку они выделяют больше тепла. В таких приложениях, как источники питания, наиболее рекомендуется использовать металл.